[发明专利]可变电阻存储器设备

权利要求书

1.一种可变电阻存储器设备，包括：

在第一方向和第二方向上彼此间隔开的多个有源区；

在所述多个有源区的第一端上的多个第一有源源极触点；

在所述多个有源区的第二端上的多个第二有源源极触点；

在所述第二方向上延伸的多条位线，所述多条位线包括在所述多个第一有源源极触点的行和所述多个第二有源源极触点的行之间的至少第一位线；

将所述多个有源区的中心部分或中心边缘与所述多条位线电连接的多个公共位线触点；

在所述第一方向上延伸的多条字线，所述多条字线包括在所述多个第一有源源极触点的列和所述多个公共位线触点的列之间的至少第一字线和在所述多个公共位线触点的列和所述多个第二有源源极触点的列之间的至少第二字线；

在所述多个有源区、所述多条字线和所述多条位线上方的多个可变电阻层，所述多个可变电阻层电连接到所述多个第二有源源极触点；

在所述多个可变电阻层上并且在所述多个有源区、所述多条字线和所述多条位线上方的多个自旋轨道矩SOT层，所述多个SOT层电连接到所述多个第一有源源极触点；

在所述第二方向上延伸的多条源极线；和

电连接所述多个SOT层和所述多条源极线的多个源极线触点。

2.根据权利要求1所述的可变电阻存储器设备，其中

所述多个可变电阻层中的每一个包括磁性隧道结MTJ结构，并且

所述MTJ结构包括SOT型MTJ结构。

3.根据权利要求2所述的可变电阻存储器设备，其中，所述MTJ结构包括垂直MTJ(PMTJ)或平面内MTJ(IMTJ)中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的可变电阻存储器设备，其中，所述多个有源区中的每一个具有椭圆形形状，所述椭圆形形状具有长轴和短轴。

5.根据权利要求1所述的可变电阻存储器设备，其中，所述多个有源区在所述第一方向和所述第二方向之间的对角线方向上倾斜。

6.根据权利要求1所述的可变电阻存储器设备，其中，所述多个有源区垂直于所述第一方向并且平行于所述第二方向。

7.根据权利要求1所述的可变电阻存储器设备，其中

所述多个可变电阻层包括所述多个有源区上方的多个磁性隧道结MTJ结构，

所述多个SOT层在所述多个MTJ结构上，并且

所述多个MTJ结构包括SOT型MTJ结构。

8.根据权利要求1所述的可变电阻存储器设备，还包括：

电连接到所述多个SOT层的第一中间连接结构；和

第一布线结构，位于所述第一中间连接结构和所述多个第一有源源极触点之间并电连接所述第一中间连接结构和所述多个第一有源源极触点，使得所述多个第一有源源极触点和所述多个SOT层之间的电路径被所述第一布线结构移位。

9.根据权利要求1所述的可变电阻存储器设备，还包括：

电连接到所述多个可变电阻层的第二中间连接结构；和

第二布线结构，位于所述第二中间连接结构和所述多个第二有源源极触点之间并且电连接所述第二中间连接结构和所述多个第二有源源极触点，使得所述多个第二有源源极触点和所述多个可变电阻层之间的电路径被所述第二布线结构移位。

10.根据权利要求1所述的可变电阻存储器设备，其中，在截面图中，所述多个SOT层从所述可变电阻层中的每一个的一个侧表面突出。