[发明专利]可变电阻存储器设备在审
申请号: | 202211229930.5 | 申请日: | 2022-10-08 |
公开(公告)号: | CN115954025A | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 李容在;卞智训 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;G11C11/56;G11C8/14;G11C7/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 可变 电阻 存储器 设备 | ||
提供了一种可变电阻存储器设备。该可变电阻存储器设备包括:彼此间隔开的有源区;有源区中的公共位线触点;靠近每个公共位线触点的一个边缘的第一有源区上的第一有源源极触点;靠近每个公共位线触点的另一边缘的第二有源区上的第二有源源极触点;第一有源源极触点和公共位线触点之间以及公共位线触点和第二有源源极触点之间的字线;公共位线触点上的位线;连接到第二有源源极触点、字线和位线的可变电阻层;可变电阻层上连接到第一有源源极触点、字线和位线的自旋轨道矩(SOT)层;SOT层上的源极线触点;以及连接到源极线触点的源极线。
技术领域
本发明构思涉及一种存储器设备,更具体地,涉及一种可变电阻存储器设备。
背景技术
由于可变电阻层响应于施加的电压的电流传输特性的使用,可变电阻存储器设备已经被非常感兴趣地考虑来代替闪存设备。可变电阻存储器设备的代表性示例可以包括磁性随机存取存储器(magnetic random access memory,MRAM)设备(或磁阻存储器设备)。随着对高性能和/或紧凑电子设备的需求增加,可变电阻存储器设备可以受益于存储器单元的高度集成。
发明内容
本发明构思提供了一种具有高度集成的存储器单元的可变电阻存储器设备。
根据本发明构思的示例实施例,提供了一种可变电阻存储器设备,包括:在第一方向和第二方向上彼此间隔开的多个有源区;在多个有源区的第一端上的多个第一有源源极触点;在多个有源区的第二端上的多个第二有源源极触点;在第二方向上延伸的多条位线,该多条位线包括在多个第一有源源极触点的行和多个第二有源源极触点的行之间的至少第一位线;将多个有源区的中心部分或中心边缘与多条位线电连接的多个公共位线触点;在第一方向上延伸的多条字线,该多条字线包括在多个第一有源源极触点的列和多个公共位线触点的列之间的至少第一字线和在多个公共位线触点的列和多个第二有源源极触点的列之间的至少第二字线;在多个有源区、多条字线和多条位线上方的多个可变电阻层,该多个可变电阻层电连接到多个第二有源源极触点;在多个可变电阻层上并且在多个有源区、多条字线和多条位线上方的多个自旋轨道矩(spin-orbit torque,SOT)层,该多个SOT层电连接到多个第一有源源极触点;在第二方向上延伸的多条源极线;和电连接多个SOT层和多条源极线的多个源极线触点。
根据本发明构思的示例实施例,提供了一种可变电阻存储器设备,包括:在第一方向和第二方向上彼此间隔开的多个有源区;在多个有源区的第一端上的多个第一有源源极触点;在多个有源区的第二端上的多个第二有源源极触点;在第二方向上延伸的多条位线,该多条位线包括在多个第一有源源极触点的行和多个第二有源源极触点的行之间的至少第一位线;将多个有源区的中心部分与多条位线电连接的多个公共位线触点;在第一方向上延伸的多条字线,该多条字线包括在多个第一有源源极触点的列和多个公共位线触点的列之间的至少第一字线和在多个公共位线触点的列和多个第二有源源极触点的列之间的至少第二字线;多个第一中间连接触点;第一布线结构,电连接多个第一有源源极触点和多个第一中间连接触点,使得多个第一有源源极触点和多个第一中间连接触点之间的电路径被第一布线结构移位;多个第二中间连接触点;第二布线结构,电连接多个第二有源源极触点和多个第二中间连接触点,使得多个第二有源源极触点和多个第二中间连接触点之间的电路径被第二布线结构移位;在多个有源区、多条字线和多条位线上方的多个可变电阻层,该多个可变电阻层具有电连接到多个第二中间连接触点的下部;在多个可变电阻层上并且在多个有源区、多条字线和多条位线上方的多个自旋轨道矩(SOT)层,该多个SOT层具有电连接到多个第一中间连接触点的下部;在第二方向上延伸的多条源极线;和电连接多个SOT层和多条源极线的多个源极线触点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211229930.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。