[发明专利]一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构

权利要求书

1.一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构，其特征在于，该结构包括硅介质底层(1)、样品槽(2)、椭圆三维狄拉克半金属纤维(4)和背电极掺杂硅层(6)；

所述的样品槽(2)位于硅介质底层(1)上方，所述的椭圆三维狄拉克半金属纤维(4)位于样品槽(2)上方，所述的背电极掺杂硅层(6)位于椭圆三维狄拉克半金属纤维(4)侧方。

2.根据权利要求1所述的一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构，其特征在于，所述的样品槽(2)两侧还设有聚乙烯介质层(3)。

3.根据权利要求2所述的一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构，其特征在于，所述的样品槽(2)的材质包括空气、聚乙烯、TNT或HMX。

4.根据权利要求1所述的一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构，其特征在于，所述的椭圆三维狄拉克半金属纤维(4)和背电极掺杂硅层(6)之间设有二氧化硅绝缘层(5)。

5.根据权利要求1所述的一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构，其特征在于，所述硅介质底层(1)的材质为本征硅材料。

6.根据权利要求1所述的一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构，其特征在于，所述椭圆三维狄拉克半金属纤维(4)的材质为砷化镉材料。

7.根据权利要求1所述的一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构，其特征在于，所述的背电极掺杂硅层(6)为载流子掺杂浓度为(0.8-1.2)×10¹⁵cm^-3的n型掺杂硅材料。

8.根据权利要求1所述的一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构，其特征在于，所述的椭圆三维狄拉克半金属纤维(4)的椭圆比a_x/a_y为1-10.24。

9.根据权利要求1所述的一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构，其特征在于，所述的椭圆三维狄拉克半金属纤维(4)的椭圆比a_x/a_y为2.56-6.25。

10.根据权利要求1所述的一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构，其特征在于，该结构还包括用于调控椭圆三维狄拉克半金属纤维(4)费米能级的电控单元，该电控单元连接在背电极掺杂硅层(6)和椭圆三维狄拉克半金属纤维(4)之间。