[发明专利]跟踪温度的电流源失配前台校准电路及方法在审
申请号: | 202211268826.7 | 申请日: | 2022-10-17 |
公开(公告)号: | CN115494908A | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 杨卫东;刘军;马世碧;温显超;朱璨;藏剑栋 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆吉芯科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 唐勇 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 跟踪 温度 电流 失配 前台 校准 电路 方法 | ||
1.一种跟踪温度的电流源失配前台校准电路,其特征在于,包括:
待校准电流源;
参考电流源;
含温度信息电流产生模块,产生含有温度信息的工作电流;
跟踪温度校准模块,接所述待校准电流源、所述参考电流源及所述含温度信息电流产生模块,根据所述工作电流对所述待校准电流源与所述参考电流源之间的失配进行校准补偿,为所述待校准电流源提供目标校准电流,且所述目标校准电流自动跟踪温度变化。
2.根据权利要求1所述的跟踪温度的电流源失配前台校准电路,其特征在于,所述含温度信息电流产生模块包括第一偏置电流产生单元、第二偏置电流产生单元、第一偏置电压产生单元、第二偏置电压产生单元、第三偏置电压产生单元、第一电流镜及第二电流镜,所述第一偏置电流产生单元的输入端连接第一偏置电压,所述第一偏置电流产生单元的第一输出端连接所述第一偏置电压产生单元的第一输入端,所述第一偏置电流产生单元的第二输出端连接所述第一偏置电压产生单元的第二输入端,所述第一偏置电压产生单元的第一输出端连接所述第一电流镜的第一输入端,所述第一偏置电压产生单元的第二输出端连接所述第一电流镜的第二输入端,所述第一偏置电流产生单元的第二输出端连接所述第一电流镜的第三输入端,所述第一电流镜的第一输出端连接所述第二偏置电压产生单元的第一输入端,所述第一电流镜的第二输出端连接所述第二偏置电压产生单元的第二输入端,所述第一电流镜的第三输出端连接所述第三偏置电压产生单元的第一电流输入端,所述第二偏置电压产生单元的第一输出端连接所述第二电流镜的第一输入端,所述第二偏置电压产生单元的第二输出端连接所述第二电流镜的第二输入端,所述第二电流镜的第三输入端接所述第一电流镜的第二输出端,所述第二电流镜的输出端连接所述第三偏置电压产生单元的第二电流输入端,所述第三偏置电压产生单元的电压输入端连接第二偏置电压,所述第三偏置电压产生单元的第一电压输出端连接所述第二偏置电流产生单元的第一输入端,所述第三偏置电压产生单元的第二电压输出端连接所述第二偏置电流产生单元的第二输入端,所述第二偏置电流产生单元的第三输入端接第三偏置电压,所述第二偏置电流产生单元的输出端输出所述工作电流。
3.根据权利要求2所述的跟踪温度的电流源失配前台校准电路,其特征在于,所述第一偏置电流产生单元包括放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻及第二电阻,所述,所述放大器的同相输入端接所述第一偏置电压,所述放大器的反相输入端接所述第二NMOS管的源极,所述第一NMOS管的源极经串接的所述第一电阻后接地,所述第二NMOS管的源极经串接的所述第二电阻后接地,所述放大器的输出端分别接所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极,其中,所述放大器的同相输入端为所述第一偏置电流产生单元的输入端,所述第一NMOS管的漏极为所述第一偏置电流产生单元的第一输出端,所述第二NMOS管的漏极为所述第一偏置电流产生单元的第二输出端。
4.根据权利要求3所述的跟踪温度的电流源失配前台校准电路,其特征在于,所述第一偏置电压产生单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管及第四PMOS管,所述第一PMOS管的源极接工作电压,所述第一PMOS管的漏极接接所述第二PMOS管的源极,所述第二PMOS管的漏极接接所述第二PMOS管的栅极,所述第三PMOS管的源极接所述工作电压,所述第三PMOS管的漏极接所述第四PMOS管的源极,所述第四PMOS管的漏极接所述第三PMOS管的栅极,所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极及所述第四PMOS管的栅极短接,其中,所述第二PMOS管的漏极为所述第一偏置电压产生单元的第一输入端,所述第四PMOS管的漏极为所述第一偏置电压产生单元的第二输入端,所述第一PMOS管的栅极为所述第一偏置电压产生单元的第一输出端,所述第三PMOS管的栅极为所述第一偏置电压产生单元的第二输出端。
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