[发明专利]非易失性存储器的编程方法以及存储装置在审
| 申请号： | 202211280334.X | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN115602232A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 冯鹏亮 | 申请（专利权）人： | 东芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/14;G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周全 |
| 地址： | 201799 上海市青浦区徐泾*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 编程 方法 以及 存储 装置 | ||
1.一种非易失性存储器的编程方法，包括：
在与编程电压对应的多个编程周期中，对多个存储单元进行编程，
其中，在每个编程周期中，对多个存储单元进行编程包括：
基于与当前编程周期对应的编程电压确定单次选通的存储单元的个数；以及
以所确定的个数和所述对应的编程电压分批对所述多个存储单元进行编程。
2.如权利要求1所述的编程方法，其特征在于，每个编程周期对应于不同的编程电压。
3.如权利要求2所述的编程方法，其特征在于，前一次编程周期所对应的编程电压小于后一次编程周期所对应的编程电压。
4.如权利要求3所述的编程方法，其特征在于，所述不同的编程电压包括5V、7V以及9V。
5.如权利要求4所述的编程方法，其特征在于，在所述编程电压为5V的编程周期中，所述单次选通的存储单元的个数为32或16个。
6.如权利要求4所述的编程方法，其特征在于，在所述编程电压为7V或9V的编程周期中，所述单次选通的存储单元的个数为64个。
7.如权利要求1所述的编程方法，其特征在于，初始编程周期所对应的单次选通的存储单元的个数最小。
8.如权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述单次选通的存储单元的个数对应于单次选通的字线数。
9.如权利要求8所述的编程方法，其特征在于，分批对所述多个存储单元进行编程包括：依次以所述单次选通的字线数选通多个字线上的存储单元并以所述对应的编程电压进行编程。
10.一种存储装置，包括：
存储单元阵列；
电荷泵，所述电荷泵耦合到所述存储单元阵列；以及
控制器，所述控制器被配置用于致使所述电荷泵在与编程电压对应的多个编程周期中，分别对多个存储单元进行编程，
其中，所述控制器进一步被配置用于在每个编程周期中：
基于与当前编程周期对应的编程电压确定单次选通的存储单元的个数；以及
致使所述电荷泵以所确定的个数和所述对应的编程电压分批对所述多个存储单元进行编程。
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