[发明专利]非易失性存储器的编程方法以及存储装置

说明书

本申请提供一种非易失性存储器的编程方法，包括：在与编程电压对应的多个编程周期中，对多个存储单元进行编程，其中，在每个编程周期中，对多个存储单元进行编程包括：基于与当前编程周期对应的编程电压确定单次选通的存储单元的个数；以及以所确定的个数和所述对应的编程电压分批对所述多个存储单元进行编程。

技术领域

本申请涉及半导体存储技术领域，尤其涉及一种非易失性存储器的编程方法以及存储装置。

背景技术

随着步入信息纪元，对信息存储的要求越来越高，从而对计算机等的存储设备的要求同样越来越高。而非易失性存储器作为一种能够在使用时可改写的存储介质，被广泛使用在各种存储设备内。诸如闪存、可擦除可编程只读存储器(EPROM：ErasableProgrammable Read Only Memory)、电子抹除式可复写只读存储器(EEPROM：ElectricallyErasable Programmable Read Only Memory)之类的非易失性存储器可通过擦除存储单元之后再将存储单元进行编程的方式，从而删除之前存储的信息再记录下新的信息。

然而，在进行擦除过程时，可能出现过擦除现象，导致编程受到影响，直接影响存储器的正常工作。因此，如何防止因过擦除状态导致的不良影响、确保存储器正常工作，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

发明内容

发明所要解决的技术问题

本申请鉴于上述那样的现有问题而完成，其目的在于，提供一种非易失性存储器的编程方法以及存储装置，其可防止由于过擦除导致的编程失效。

解决技术问题的技术方案

在解决上述问题的本申请的一个实施例中，提供了一种非易失性存储器的编程方法，包括：在与编程电压对应的多个编程周期中，对多个存储单元进行编程，其中，在每个编程周期中，对多个存储单元进行编程包括：基于与当前编程周期对应的编程电压确定单次选通的存储单元的个数；以及以所确定的个数和所述对应的编程电压分批对所述多个存储单元进行编程。

在本申请的一实施例中，每个编程周期对应于不同的编程电压。

在本申请的一实施例中，前一次编程周期所对应的编程电压小于后一次编程周期所对应的编程电压。

在本申请的一实施例中，所述不同的编程电压包括5V、7V以及9V。

在本申请的一实施例中，在所述编程电压为5V的编程周期中，所述单次选通的存储单元的个数为32或16个。

在本申请的一实施例中，在所述编程电压为7V或9V的编程周期中，所述单次选通的存储单元的个数为64个。

在本申请的一实施例中，初始编程周期所对应的单次选通的存储单元的个数最小。

在本申请的一实施例中，所述单次选通的存储单元的个数对应于单次选通的字线数。

在本申请的一实施例中，分批对所述多个存储单元进行编程包括：依次以所述单次选通的字线数选通多个字线上的存储单元并以所述对应的编程电压进行编程。

在解决上述问题的本申请的一个实施例中，提供了一种存储装置，包括：存储单元阵列；电荷泵，所述电荷泵耦合到所述存储单元阵列；以及控制器，所述控制器被配置用于致使所述电荷泵在与编程电压对应的多个编程周期中，分别对多个存储单元进行编程，其中，所述控制器进一步被配置用于在每个编程周期中：基于与当前编程周期对应的编程电压确定单次选通的存储单元的个数；以及致使所述电荷泵以所确定的个数和所述对应的编程电压分批对所述多个存储单元进行编程。

发明效果

根据本申请，能够避免由于过擦除而引起的编程失效。