[发明专利]一种发光二极管、发光装置及制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，所述外延结构包括依次层叠的第一类半导体层、发光层和第二类半导体层；所述第一类半导体层包含第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层位于外延结构的第一表面侧；所述第一欧姆接触层的材料为Al_xGa_yInP，其中，0≤x≤1或0≤y≤1；

第一金属电极，位于所述外延结构的第一表面上；所述第一金属电极包括主电极和多个扩展电极；所述扩展电极位于所述第一欧姆接触层上，与所述第一欧姆接触层实现电连接；从俯视上看，所述扩展电极在第一表面上的投影面积小于或者等于所述第一欧姆接触层在第一表面上的投影面积。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述扩展电极不覆盖所述第一欧姆接触层的侧面。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述主电极位于所述第一欧姆接触层上或位于未覆盖所述第一欧姆接触层的所述第一表面上。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一金属电极包括至少由金、锗、镍三种元素及其合金组成。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：在沿靠近所述第一表面的所述第一金属电极底表面向上表面方向，所述镍元素含量先增加后降低。

6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述第一金属电极还包括钛元素和铂元素。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述钛元素相较于铂元素在所述第一金属电极上处于更接近第一欧姆接触层的位置，且所述铂元素紧邻钛元素。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述钛元素在所述第一金属电极上的厚度大于800埃。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一欧姆接触层含有镍元素。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一类半导体层还包含至少一层第一窗口层，所述第一窗口层位于远离第一金属电极的第一欧姆接触层一侧；所述第一窗口层的材料为Al_mGa_nInP,其中，0≤m≤1或0≤n≤1；其中，所述第一欧姆接触层中的Al含量小于所述第一窗口层中的Al含量。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述第一欧姆接触层的厚度大于300埃且小于所述第一窗口层的厚度。

12.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述第一窗口层厚度为小于5μm。

13.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述第一欧姆接触层为N型掺杂，所述第一窗口层为N型掺杂，所述第一窗口层的掺杂浓度低于所述第一欧姆接触层的掺杂浓度。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于：所述第一欧姆接触层的掺杂浓度大于4E±18/cm³，所述第一窗口层的掺杂浓度为4E+17～4E+18/cm³。

15.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述Al_xGa_yInP和Al_mGa_nInP中，m-x≥0.2。