[发明专利]一种MOS管制造工艺

权利要求书

1.一种MOS管制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：选取原料多晶硅若干，将多晶硅原料放入石英炉内进行熔解提纯，当多晶硅原料在石英炉内充分熔解后，使用使用石英棒将熔解的原料慢慢拉出，形成单晶硅棒；

步骤二：将单晶硅棒拉出后，进行一定的时间的自然冷却，冷却完毕后，使用切刀，将单晶硅棒进行切割处理，得到若干硅片；

步骤三：将制作的硅片进行化学清洗，将硅片表面的颗粒、有机物、氧化层等进行去除，得到硅片衬底；

步骤四：将硅片衬底与氧化剂放入到氧化炉内进行高温反应，使硅片衬底表面形成一层氧化层；

步骤五：在硅片衬底表面选择出漏极D和源极S，并进行标记，根据标记的位置采用刻蚀工艺将硅片衬底表面漏极D和源极S处的氧化层去除，并对表面进行清理；

步骤六：采用光刻工艺在硅片衬底表面漏极D和源极S处进行雕刻，形成漏极D和源极S，雕刻完毕后，对漏极D和源极S的表面进行清理；

步骤七：将掺杂剂中的杂质原子经过离化变成带点的杂质离子，并使其在-40℃—-50℃的超冷温度下进行电场中加速，获得一定的能量后，直接轰击到硅片衬底内；

步骤八：将硅片衬底与抛光头之间进行相对运动，并且在运动的过程中在硅片和抛光头加入磨料，表面材料与磨料发生化学反应生成相对容易去除的表层，并同时施加压力平坦化表面，进行平坦化处理；

步骤九：在晶粒的焊点和引脚框架的引脚之间，焊接上金属细线，建立晶粒电路与外部的连接，把黏有晶粒，熔好线的引脚枢架放置到压铸模具中，再把熔融的树脂塑料压入模中，把整个晶粒按封装要求被包裹起来，将引脚框架多余的连接材料切除掉，并根据产品的封装形式，把引脚塑造成需要的形状，最终得到成品MOS管；

步骤十：将成品MOS管放入到测试机内，进行反复测试，确定合格后，放入包装内进行储存安放。

2.根据权利要求1所述的一种MOS管制造工艺，其特征在于：所述步骤一中石英炉使用过程中的最高温度为1420℃-1500℃，所述步骤一石英炉对多晶硅原料熔化的时间为5h-8h。

3.根据权利要求1所述的一种MOS管制造工艺，其特征在于：所述步骤二中单晶硅棒的冷却时间为1h-2h，所述步骤二中硅片的厚度为8μm-10μm。

4.根据权利要求1所述的一种MOS管制造工艺，其特征在于：所述步骤三中化学清洗流程为将硅片先用成分比为H₂SO₄:H₂O₂＝5:1的酸性液清洗，清将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后，再用成分比为H₂O:H₂O₂:NH₄OH＝5:2:1的碱性清洗液清洗。

5.根据权利要求1所述的一种MOS管制造工艺，其特征在于：所述步骤四中硅片衬底表面形成一层氧化层具体为二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的一种MOS管制造工艺，其特征在于：所述步骤五中与步骤六中对漏极D和源极S的清理方式均为采用超纯水进行反复冲洗，且冲洗的次数为2-3次。

7.根据权利要求1所述的一种MOS管制造工艺，其特征在于：所述步骤七中杂质离子注入深度平均可达10nm～10um，所述步骤七中杂质离子注入次数为6-8次。

8.根据权利要求1所述的一种MOS管制造工艺，其特征在于：所述步骤八中在运动的过程中在硅片和抛光头加入磨料具体为Al₂O₃，所述所述步骤八中硅片的打磨时间为15min-30min。

9.根据权利要求1所述的一种MOS管制造工艺，其特征在于：所述步骤十中MOS管放入到测试机测试次数为3-5次。