[发明专利]氧化钨的成分分析方法及通过氧化钨制备钨的控制方法

权利要求书

1.一种氧化钨的成分分析方法，其特征在于，包括：

获取氧化钨的衍射图谱；

对所述衍射图谱进行全谱拟合得到对所述氧化钨成分分析的分析结果。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述衍射图谱进行全谱拟合得到对所述氧化钨成分分析的分析结果包括：

获取预设的晶体结构模型；

分别获取所述晶体结构模型中每个相的拟合参数；

根据所述拟合参数对所述衍射图谱进行全谱拟合得到对所述氧化钨成分分析的分析结果。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述晶体结构模型包括以下中的一项或多项：氧化钨相、赝晶相、中间产物相，其中赝晶相为利用仲钨酸铵制备氧化钨过程中产生的初生氧化物，中间产物相为所述氧化钨中黄钨相向蓝钨相转变过程中产生的中间相。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氧化钨相包括以下中的一项或多项：钨青铜相、黄钨相、蓝钨相、紫钨相。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述钨青铜相的晶体结构包括以下中的一种或几种：六方钨铵、四方钨铵、四方氢钨、斜方氢钨；

和/或，所述黄钨相的晶体结构包括以下中的一种或几种：单斜、三斜、斜方、四方、六方、立方；

和/或，所述蓝钨相的晶体结构包括以下中的一种或几种：单斜、四方；

和/或，所述紫钨相的晶体结构包括：单斜。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述拟合参数包括以下中的一项或多项：晶粒尺寸、微观应变、晶格常数。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：

针对所述晶体结构模型的任一相，该相的晶粒尺寸的拟合参数的限制范围根据该相的衍射图谱的半峰宽确定；

和/或，

针对所述晶体结构模型的任一相，该相的微观应变的拟合参数限制范围大于0.0001％，小于0.99％；

和/或，

针对所述晶体结构模型的任一相，在该相于衍射图谱中存在明显的独立峰时，放开对该相的晶格常数的精修；在该相于衍射图谱中不存在明显的独立峰时，限制对该相的晶格常数的精修。

8.一种通过氧化钨制备钨的控制方法，其特征在于，包括：

获取利用权利要求1～7任一项所述的方法得到氧化钨的分析结果；

根据所述氧化钨的分析结果调整通过氧化钨制备钨的工艺参数。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行权利要求1～7中任一项所述的氧化钨的成分分析方法或权利要求8所述的通过氧化钨制备钨的控制方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行权利要求1～7中任一项所述的氧化钨的成分分析方法或权利要求8所述的通过氧化钨制备钨的控制方法。