[发明专利]一种光路限定元件及使用该元件的检测方法、装置在审
申请号: | 202211416593.0 | 申请日: | 2022-11-13 |
公开(公告)号: | CN115793353A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 闫东;李昶;洪瑞;王美;徐飞;卞海峰;肖文龙;李泽通;薛冬冬;顾晓奕;韩杰 | 申请(专利权)人: | 无锡奥特维科技股份有限公司 |
主分类号: | G03B15/06 | 分类号: | G03B15/06;H01L21/66 |
代理公司: | 无锡永乐唯勤专利代理事务所(普通合伙) 32369 | 代理人: | 章陆一 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 限定 元件 使用 检测 方法 装置 | ||
1.一种光路限定元件,其特征在于,所述光路限定元件包括安装座、第一反光面和第二反光面,所述安装座具有倾斜设置的安装面和狭长孔,所述狭长孔自所述安装面穿透所述安装座设置,并将所述安装面分割成第一安装面和第二安装面,所述第一安装面和所述第二安装面分别用于安装所述第一反光面和所述第二反光面,所述第一反光面和所述第二反光面用于反射光,所述狭长孔用于透过光。
2.根据权利要求1所述的光路限定元件,其特征在于,所述狭长孔的宽度为0.8mm~2mm。
3.根据权利要求1所述的光路限定元件,其特征在于,所述倾斜设置的安装面相对于水平面的夹角为α,35°≤α≤55°。
4.根据权利要求1所述的光路限定元件,其特征在于,所述第一反光面和所述第二反光面之间的夹角为β,150°≤β≤180°。
5.根据权利要求4所述的光路限定元件,其特征在于,所述第一安装面远离所述狭长孔的一端高于所述第一安装面靠近所述狭长孔的一端,所述第二安装面远离所述狭长孔的一端高于所述第二安装面靠近所述狭长孔的一端,所述第一安装面与所述第二安装面之间的夹角与所述β的角度一致。
6.根据权利要求4所述的光路限定元件,其特征在于,所述第一反光面和所述第二反光面分别角度可调地安装在所述第一安装面与所述第二安装面上。
7.根据权利要求1所述的光路限定元件,其特征在于,所述第一反光面和所述第二反光面为反光镜或者反光膜。
8.根据权利要求1所述的光路限定元件,其特征在于,所述光路限定元件的内腔做黑化处理,所述内腔包括所述狭长孔的内壁和/或,所述第一反光面和所述第二反光面的背面。
9.一种硅片侧边检测方法,其特征在于,所述硅片侧边检测方法包括:将光打至如权利要求1-8任意一项所述的光路限定元件上,由所述光路限定元件将所述光反射到硅片侧边上,所述光被所述硅片侧边反射并穿过所述光路限定元件到达检测相机。
10.根据权利要求9所述的硅片侧边检测方法,其特征在于,所述由所述光路限定元件将所述光反射到硅片侧边上包括:
由所述第一反光面将部分所述光反射到硅片侧边和/或由所述第二反光面将部分所述光反射到硅片侧边。
11.根据权利要求9所述的硅片侧边检测方法,其特征在于,所述由所述光路限定元件将所述光反射到硅片侧边上包括:
所述第一反光面反射的部分光和所述第二反光面反射的部分光的重叠部分反射到硅片侧边上。
12.根据权利要求9所述的硅片侧边检测方法,其特征在于,所述光被所述硅片侧边反射并穿过所述光路限定元件到达检测相机包括:
所述光被所述硅片侧边反射并穿过所述狭长孔到达所述检测相机。
13.一种硅片检测装置,其特征在于,所述硅片检测装置包括输送单元、光照单元、如权利要求1-8任意一项所述的光路限定元件、图像获取单元和分析单元,所述输送单元用于将待检测硅片输送至拍照区域并将已拍照的硅片输送至后道区域;所述光照单元用于向所述待检测硅片提供光照;所述光路限定元件用于将所述光照单元发出的光反射至所述待检测硅片侧边,并为由所述待检测硅片侧边反射的光提供通道进入所述图像获取单元;所述图像获取单元用于获取所述待检测硅片侧边图像;所述分析单元用于分析所述侧边图像。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡奥特维科技股份有限公司,未经无锡奥特维科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211416593.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种边海防信息交换系统及方法
- 下一篇:亲水性不规则岩块表面积计算方法