[发明专利]一种基于氧化物异质结材料的无酶过氧化氢光电化学传感器的制备方法和检测方法

权利要求书

1.一种基于WO₃/Mo:BiVO₄异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，所述传感器以WO₃/Mo:BiVO₄异质结电极作为工作电极，所述WO₃/Mo:BiVO₄电极包括FTO导电基底及复合在FTO表面的WO₃/Mo:BiVO₄薄膜，所述WO₃/Mo:BiVO₄薄膜包括以纳米片阵列方式垂直排布在导电基底上的WO₃层和以颗粒形式紧密覆盖在WO₃层的Mo:BiVO₄层。

2.根据权利要求1所述的一种基于WO₃/Mo:BiVO₄异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，所述WO₃/Mo:BiVO₄薄膜的厚度为700-1000nm，优选为850-950nm，Mo:BiVO₄颗粒的粒径为50~200nm，合成Mo掺杂的BiVO₄薄膜的前驱体溶液中：Bi:(V+Mo)元素摩尔比为1:1，Mo:(V+Mo)元素摩尔比为0.1%~10%，优选的，Mo:(V+Mo)元素摩尔比为1%~5%，更优选的，Mo:(V+Mo)元素摩尔比为3%。

3.根据权利要求2所述的一种基于WO₃/Mo:BiVO₄异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，覆盖在WO₃层的Mo:BiVO₄层是通过旋涂方式制得，旋涂次数为6~12次，优选为6-10次，更优选为9次。

4.根据权利要求1~3任一所述的一种基于WO₃/Mo:BiVO₄异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，所述WO₃/Mo:BiVO₄异质结电极的制备方法包括以下步骤：

（1）制备WO₃纳米片阵列薄膜电极：在FTO导电玻璃的导电面制备WO₃纳米片阵列薄膜电极；

（2）制备合成Mo掺杂的BiVO₄薄膜的前驱体溶液：将五水合硝酸铋溶于冰乙酸中，将乙酰丙酮氧钒和乙酰丙酮钼分别溶于乙酰丙酮中，然后将上述三种溶液混合，得到合成Mo掺杂的BiVO₄薄膜的前驱体溶液；

其中，前驱液中Bi:(V+Mo)元素摩尔比为1:1，Mo:(V+Mo)元素摩尔比为0.1%~10%，优选的，Mo:(V+Mo)元素摩尔比为1%~5%，更优选的，Mo:(V+Mo)元素摩尔比为3%；

（3）制备WO₃/Mo:BiVO₄异质结电极：将步骤（2）所得前驱体液旋涂在步骤（1）制得的WO₃纳米片阵列薄膜电极上，干燥，退火得到WO₃/Mo:BiVO₄异质结；

优选的，旋涂次数为6~12次，优选为6-10次，更优选为9次。

5. 根据权利要求4所述的一种基于WO₃/Mo:BiVO₄异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，按照专利CN 105384358B记载的方法在FTO导电玻璃的导电面制备WO₃纳米片阵列薄膜电极。

6.根据权利要求4所述的一种基于WO₃/Mo:BiVO₄异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，退火的温度为400~600℃，退火时间为1~5h；更优选的，退火的温度为400~500℃，退火时间为1~2h。