[发明专利]一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法以及钝化设备

权利要求书

1.一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法,其特征在于：包括以下具体步骤：

步骤一：将待测硅片放入HF和HNO3的混合溶液中，去除表面的杂质和氧化层；

步骤二：每次做硅片热氧化前，需打开炉门，打开N2进气开关吹扫炉腔，确保炉腔无细微颗粒存在；

步骤三：关闭炉门，关闭N2进气开关，打开加温开关，以100℃/h的加温速率从室温加热到600-700℃，炉腔温度达到设定温度后，稳定10-15min；

步骤四：将镜面抛光后的硅片装入片架，打开炉门推入炉腔，关闭炉门；

步骤五：高温处理达到规定时间后，打开炉门取出样片采用冷却装置快速冷却到室温，对样片进行少子寿命测试。

2.根据权利要求1所述的一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法,其特征在于：步骤一中，HF和HNO3的混合比例为1:3，处理的时间为5min。

3.根据权利要求1所述的一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法,其特征在于：步骤二中，N2进气开关吹扫炉腔的时间为5min。

4.根据权利要求1所述的一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法,其特征在于：步骤五中，高温处理的时间为40-60min。

5.一种如权利要求1所述的一种用在提升硅片少子寿命精度的钝化方法的钝化设备，其特征在于：包括加热炉(1)和冷却装置(2)，所述的加热炉(1)包括加热炉本体(3)、内腔石英件(4)和加热炉密封盖(5)，所述的加热炉本体(3)的前端下部安装有加热炉密封盖(5)，所述的加热炉本体(3)的内腔内安装有内腔石英件(4)，所述的加热炉本体(3)的前端两侧设置有与外部氮气气源连通的氮气输入管(9)，所述的氮气输入管(9)从内腔石英件(4)两侧伸入到内腔，所述的内腔石英件(4)的底部内安装有呈叠放的硅片装夹件(6)，所述的冷却装置(2)包括底座(11)、主管通道(13)和分支通道(14)，所述的底座(11)后侧对称安装有两根竖直支柱(12)，所述的竖直支柱(12)上端之间安装有主管通道(13)，主管通道(13)前侧安装有水平朝前伸出的分支通道(14)，所述的主管通道(13)的内部腔体与分支通道(14)的内腔连通，所述的分支通道(14)的下侧设置有若干输出口。

6.根据权利要求5所述的一种用在提升硅片少子寿命精度的钝化方法的钝化设备，其特征在于：所述的加热炉本体(3)的前侧下部对称安装有两个支架座(7)，所述的支架座(7)上转动安装有支撑轴(8)，所述的支撑轴(8)的伸出端与加热炉密封盖(5)的两侧中部相连。

7.根据权利要求5所述的一种用在提升硅片少子寿命精度的钝化方法的钝化设备，其特征在于：所述的加热炉密封盖(5)的后侧边缘通过转轴与加热炉本体(3)对接，加热炉密封盖(5)前侧中部安装有推动把手(10)。

8.根据权利要求5所述的一种用在提升硅片少子寿命精度的钝化方法的钝化设备，其特征在于：所述的主管通道(13)上安装有两个氮气对接头(15)，所述的氮气对接头(15)通过管道与外部氮气气源连通。

9.根据权利要求5所述的一种用在提升硅片少子寿命精度的钝化方法的钝化设备，其特征在于：所述的硅片装夹件(6)上端面中部设置有安装槽(17)，所述的硅片装夹件(6)的下端面两端安装有支脚(16)。