[发明专利]EUV光掩模的制作方法

说明书

本文涉及EUV光掩模的制作方法。在一种制造反射型掩模的方法中，在掩模坯上方形成粘合层。掩模坯包括衬底、布置在衬底上方的反射多层、布置在反射多层上方的覆盖层、布置在覆盖层上方的吸收剂层和布置在吸收剂层上方的硬掩模层。在粘合层上方形成光致抗蚀剂图案，图案化粘合层，图案化硬掩模层，并且使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化吸收剂层。光致抗蚀剂层对粘合层的粘附性高于对硬掩模层的粘附性。

技术领域

本公开涉及EUV光掩模的制作方法，尤其是涉及制造反射型掩模的方法和制造半导体器件的方法。

背景技术

光刻操作是半导体制造工艺中的关键操作之一。光刻技术包括紫外光刻、深紫外光刻和极紫外光刻(ultraviolet lithography，EUVL)。光掩模是光刻操作中的重要组件。制造具有高对比度、高反射率部分和高吸收率部分的EUV光掩模是至关重要的。

发明内容

根据本公开的一个实施方式，提供了一种制造反射型掩模的方法，所述方法包括：

在掩模坯上方形成粘合层，所述掩模坯包括衬底、布置在所述衬底上方的反射多层、布置在所述反射多层上方的覆盖层、布置在所述覆盖层上方的吸收剂层以及布置在所述吸收剂层上方的硬掩模层；

在所述粘合层上方形成光致抗蚀剂图案；

图案化所述粘合层，所述粘合层含碳；

图案化所述硬掩模层；和

使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化所述吸收剂层，

其中，光致抗蚀剂层对所述粘合层的粘附性高于对所述硬掩模层的粘附性。

根据本公开的另一实施方式，提供了一种制造反射型掩模的方法，所述方法包括：

在掩模坯上方形成粘合层，所述掩模坯包括衬底、布置在所述衬底上方的反射多层、布置在所述反射多层上方的覆盖层、布置在所述覆盖层上方的吸收剂层以及布置在所述吸收剂层上方的硬掩模层；

在粘合层上方形成光致抗蚀剂图案；

图案化所述粘合层；

图案化所述硬掩模层；和

使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化所述吸收剂层，

其中，所述粘合层通过在所述硬掩模层上方涂覆粘合层混合物并对涂覆的粘合层混合物施加热量而形成。

根据本公开的另一实施方式，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

通过以下方式制造反射型掩模：

在掩模坯上方形成中间层，所述掩模坯包括衬底、布置在所述衬底上方的反射多层、布置在所述反射多层上方的覆盖层、布置在所述覆盖层上方的吸收剂层和布置在所述吸收剂层上方的硬掩模层；

在所述中间层上方形成第一粘合层；

在所述粘合层上方形成光致抗蚀剂图案；

图案化所述粘合层；

图案化所述硬掩模层；和

使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化所述吸收剂层；

获得上方形成有光致抗蚀剂层的半导体晶片；和

通过使用所述反射型掩模来图案化光致抗蚀剂层。

附图简要说明