[发明专利]一种耐受激光功率的液晶光学相控阵器件及其制备方法

权利要求书

1.一种耐受激光功率的液晶光学相控阵器件，其特征在于，自下至上依次包括：基底、阵列电极层、取向层、液晶层、取向层、导电层、基底；所述阵列电极层的每个电极上以及导电层上设置有亚波长阵列孔结构。

2.根据权利要求1所述耐受激光功率的液晶光学相控阵器件，其特征在于，所述基底均为熔石英材料，厚度在0.5mm-3mm。

3.根据权利要求1所述耐受激光功率的液晶光学相控阵器件，其特征在于，所述阵列电极层中的电极为透明氧化铟锡(ITO)材料或Au金属材料，相邻电极之间为聚酰亚胺(PI)材料；阵列电极层的厚度为100nm-10μm。

4.根据权利要求1所述耐受激光功率的液晶光学相控阵器件，其特征在于，亚波长阵列孔为圆孔并贯穿阵列电极层或导电层；亚波长阵列孔的直径为400nm-1000nm；每行或每列中，相邻两孔的间距相同，且为100nm-1000nm；优选的，导电层上或每个电极上的边缘孔与导电层或电极边缘的最小垂直距离为50nm-250nm。

5.根据权利要求1所述耐受激光功率的液晶光学相控阵器件，其特征在于，所述取向层均为聚酰亚胺(PI)材料，取向层的厚度为30nm-150nm。

6.根据权利要求1所述耐受激光功率的液晶光学相控阵器件，其特征在于，所述液晶层的厚度为3-15μm。

7.根据权利要求1所述耐受激光功率的液晶光学相控阵器件，其特征在于，所述导电层为透明氧化铟锡(ITO)材料或Au金属材料，厚度为100nm-300nm。

8.如权利要求1-7任意一项所述耐受激光功率的液晶光学相控阵器件的制备方法，包括步骤：

(1)采用极紫外光刻方法和磁控溅射方法在基底表面制备阵列电极层；

(2)在另一块基底表面采用极紫外光刻方法和磁控溅射方法制备满镀的导电层；

(3)利用旋涂技术在阵列电极层和导电层表面分别制备取向层；并利用摩擦机对其进行取向；

(4)使用密封胶进行封盒，灌注液晶，然后再进行封盒，即得到耐受激光功率的液晶光学相控阵器件。