[发明专利]闪存器件及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有暴露所述控制栅层的开口，且所述开口的侧壁上形成有第一侧墙；

去除所述开口暴露的控制栅层及所述开口下方的层间介质层，使所述开口暴露所述浮栅层，所述控制栅层的靠近所述第一侧墙的顶角处存在突起；

形成表面平整的隔离层，所述隔离层至少覆盖所述第一侧墙的表面、所述突起和所述控制栅层的靠近所述开口一侧的侧壁；

形成覆盖所述隔离层的第二侧墙；

去除所述开口暴露的浮栅层，并在所述开口内形成字线；以及，

去除所述硬掩模层及所述硬掩模层下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。

2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，形成表面平整的所述隔离层的过程包括：

在所述开口的侧壁及底部沉积隔离层，所述隔离层延伸覆盖所述开口两侧的硬掩膜层；

图形化所述隔离层，使所述隔离层至少覆盖所述第一侧墙的表面、所述突起和所述控制栅层的靠近所述开口一侧的侧壁，并使所述隔离层的表面平整。

3.如权利要求2所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，采用各向异性的干法刻蚀工艺图形化所述隔离层。

4.如权利要求3所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在图形化所述隔离层之后，还包括：

进行灰化工艺及湿法清洗工艺，以去除所述图形化过程中产生的聚合物。

5.如权利要求1或2所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述隔离层的厚度大于所述突起突出所述控制栅的侧壁的宽度。

6.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述隔离层的材料与所述第一侧墙或所述第二侧墙的材料相同。

7.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在去除所述开口暴露的浮栅层之后，形成所述字线之前，还包括：

在所述开口的侧壁和底壁形成第三侧墙。

8.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述衬底和所述浮栅层之间还形成有栅氧化层。

9.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述闪存器件的制造方法用于制造分栅式闪存器件。

10.一种闪存器件，其特征在于，包括：

衬底；

字线，设置于所述衬底上；

浮栅，设置于所述字线的两侧；

控制栅，设置于所述浮栅上，所述控制栅的靠近所述字线一侧的顶角上设置有突起；

第一侧墙，设置于所述控制栅上；

隔离层，设置于所述第一侧墙的表面和所述控制栅的靠近所述字线一侧的侧壁，所述隔离层覆盖所述突起；

第二侧墙，设置于所述隔离层和所述字线之间。