[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管有效
| 申请号： | 202211576163.5 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN115588695B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 钱振华;康子楠;陈霞;张子敏;吴飞;钟军满 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人： | 戴圆圆 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽 场效应 晶体管 | ||
1.一种屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，所述屏蔽栅场效应晶体管包括：基本单元、屏蔽栅沟槽以及源极接触层；
相邻的所述基本单元之间接触设置；
所述基本单元内设有多个所述屏蔽栅沟槽；
所述源极接触层设置于相邻的所述屏蔽栅沟槽之间，且设置方向与所述屏蔽栅沟槽的方向相同，其中，所述源极接触层为与源极电极接触的接触层；
设置在不同的所述基本单元中的所述屏蔽栅沟槽的方向不同；
其中，所述基本单元包括：单元边框；
所述单元边框由多个所述屏蔽栅沟槽组成；
组成相邻的单元边框的所述屏蔽栅沟槽相互接触；
其中，所述基本单元还包括：第一基本单元和第二基本单元；
所述单元边框中存在第一预设屏蔽栅沟槽；
所述第一预设屏蔽栅沟槽的方向与所述基本单元内的所述屏蔽栅沟槽的方向相同；
所述单元边框的屏蔽栅沟槽中存在与所述第一预设屏蔽栅沟槽成第二预设角度的第二预设屏蔽栅沟槽；
所述单元边框的屏蔽栅沟槽中还存在与所述第二预设屏蔽栅沟槽成所述第二预设角度的第三预设屏蔽栅沟槽；
两个所述第一预设屏蔽栅沟槽、四个所述第二预设屏蔽栅沟槽以及两个所述第三预设屏蔽栅沟槽构成八边形边框，且各所述八边形边框的所述第二预设屏蔽栅沟槽之间接触设置；
各所述八边形边框之间的所述第一预设屏蔽栅沟槽与各所述八边形边框之间的所述第三预设屏蔽栅沟槽之间形成矩形结构的空隙；
所述第一基本单元设于所述八边形边框中，所述第二基本单元设于所述空隙中；
所述第一基本单元中的所述屏蔽栅沟槽的方向与所述第二基本单元中的所述屏蔽栅沟槽的方向不同。
2.如权利要求1所述的屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，相邻的所述基本单元中所述屏蔽栅沟槽的方向不同；
相邻的所述基本单元中前一基本单元中的屏蔽栅沟槽与后一基本单元中的屏蔽栅沟槽成第一预设角度。
3.如权利要求1所述的屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，所述第一基本单元包括第一八边形子单元以及第二八边形子单元，所述第二基本单元包括第一矩形子单元以及第二矩形子单元；
所述第一八边形子单元中的所述屏蔽栅沟槽与所述第二八边形子单元中的所述屏蔽栅沟槽成第三预设角度；
所述第一八边形子单元的第一预设屏蔽栅沟槽与所述第二八边形子单元的第三预设屏蔽栅沟槽接触设置；
所述第一八边形子单元的第二预设屏蔽栅沟槽与所述第二八边形子单元的第二预设屏蔽栅沟槽形成矩形结构的空隙；
所述第一矩形子单元中的所述屏蔽栅沟槽与所述第二矩形子单元中的所述屏蔽栅沟槽成所述第三预设角度；
所述第一矩形子单元和所述第二矩形子单元交替设于所述空隙中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡先瞳半导体科技有限公司，未经无锡先瞳半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211576163.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
