[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管

说明书

本发明公开了一种屏蔽栅场效应晶体管，该屏蔽栅场效应晶体管包括基本单元、屏蔽栅沟槽以及源极接触层；相邻的基本单元之间接触设置；基本单元内设有多个屏蔽栅沟槽；源极接触层设置于相邻的屏蔽栅沟槽之间，且设置方向与屏蔽栅沟槽的方向相同；设置在不同的基本单元中的屏蔽栅沟槽的方向不同。本发明通过在不同的基本单元中的屏蔽栅沟槽的方向不同，避免了现有的SGT的条形沟槽在一个方向上延伸，减轻了材料之间积累较大应力所导致的晶圆出现翘曲的现象，提高了芯片性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种屏蔽栅场效应晶体管。

背景技术

晶圆翘曲是晶圆在应力累计作用下，宏观上表现出弯曲变形的现象。在屏蔽栅沟槽型场效应晶体管（Split Gate Trench，SGT）这种结构中，由于SGT的条形沟槽在一个方向上延伸，会加大该方向上的压力，使得材料之间积累较大的应力，导致晶圆出现翘曲，影响芯片性能。

发明内容

本发明的主要目的在于提供了一种屏蔽栅场效应晶体管，旨在解决现有技术SGT的条形沟槽在一个方向上延伸，会加大该方向上的压力，使得材料之间积累较大的应力，导致晶圆出现翘曲，影响芯片性能的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管，所述屏蔽栅场效应晶体管包括：基本单元、屏蔽栅沟槽以及源极接触层；

相邻的所述基本单元之间接触设置；

所述基本单元内设有多个所述屏蔽栅沟槽；

所述源极接触层设置于相邻的所述屏蔽栅沟槽之间，且设置方向与所述屏蔽栅沟槽的方向相同；

设置在不同的所述基本单元中的所述屏蔽栅沟槽的方向不同。

可选地，所述基本单元包括：单元边框；

所述单元边框由多个所述屏蔽栅沟槽组成；

组成相邻的单元边框的所述屏蔽栅沟槽相互接触。

可选地，所述单元边框中存在第一预设屏蔽栅沟槽；

所述第一预设屏蔽栅沟槽的方向与所述基本单元内的所述屏蔽栅沟槽的方向相同。

可选地，相邻的所述基本单元中所述屏蔽栅沟槽的方向不同；

相邻的所述基本单元中前一基本单元中的屏蔽栅沟槽与后一基本单元中的屏蔽栅沟槽成第一预设角度。

可选地，所述基本单元为四边形结构的基本单元；

任意三个相邻的所述四边形结构的基本单元构成六边形。

可选地，所述基本单元还包括：第一基本单元和第二基本单元；

各所述第二基本单元处于各所述第一基本单元之间；

所述第一基本单元中的所述屏蔽栅沟槽的方向与所述第二基本单元中的所述屏蔽栅沟槽的方向不同。

可选地，所述第一基本单元为八边形结构的基本单元，所述第二基本单元为矩形结构的基本单元；

各所述第一基本单元之间存在空隙；

所述第二基本单元设于所述空隙中。

可选地，所述单元边框的屏蔽栅沟槽中存在与所述第一预设屏蔽栅沟槽成第二预设角度的第二预设屏蔽栅沟槽；

所述单元边框的屏蔽栅沟槽中还存在与所述第二预设屏蔽栅沟槽成所述第二预设角度的第三预设屏蔽栅沟槽；

两个所述第一预设屏蔽栅沟槽、四个所述第二预设屏蔽栅沟槽以及两个所述第三预设屏蔽栅沟槽构成八边形结构。