[发明专利]一种具有薄膜封装的体声波谐振器、制造方法及滤波器有效

专利信息
申请号: 202211588810.4 申请日: 2022-12-12
公开(公告)号: CN115589212B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 雷强;董元旦;杨涛;许夏茜;赵孟娟 申请(专利权)人: 成都频岢微电子有限公司
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H9/10;H03H9/13;H03H9/54;H03H3/02
代理公司: 成都拓荒者知识产权代理有限公司 51254 代理人: 杨争华
地址: 610000 四川省成都市郫县郫*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 薄膜 封装 声波 谐振器 制造 方法 滤波器
【权利要求书】:

1.一种具有薄膜封装的体声波谐振器,其特征在于,包括:

衬底;

第一声学镜;

底电极;

压电层;

顶电极;

第二声学镜;

封装薄膜层;

密封层;

其中,所述第一声学镜、底电极、压电层、顶电极、第二声学镜、封装薄膜层和密封层在所述衬底上依次层叠设置;

所述密封层用于对体声波谐振器进行密封;

所述第一声学镜位于所述衬底上或嵌于所述衬底内部;

所述第一声学镜包括第一主体、位于所述第一主体两侧的第一边缘部和第二边缘部、位于所述第一边缘部外侧的第一边缘外侧部以及位于所述第二边缘部外侧的第二边缘外侧部;

所述底电极位于所述第一声学镜上,所述底电极包括第一端和第二端,所述第一端和所述第二端延伸至所述衬底上;

所述压电层设置于所述底电极上并与所述底电极和所述衬底充分接触;

所述顶电极设置于所述压电层上方并与所述第一声学镜的第一主体对齐;

所述第二声学镜包括设置于所述顶电极上的第二主体,所述第二声学镜还包括设置于所述压电层上的第三边缘部和第四边缘部,所述第三边缘部和所述第四边缘部分别与所述第一边缘部和第二边缘部对齐。

2.根据权利要求1所述的具有薄膜封装的体声波谐振器,其特征在于,所述第一边缘部、所述第二边缘部、所述第一边缘外侧部和所述第二边缘外侧部的长度均为横向传播声波的波长的四分之一的奇数倍。

3.根据权利要求1所述的具有薄膜封装的体声波谐振器,其特征在于,所述第一声学镜还包括第一末端和第二末端,

其中,所述第一末端和所述第二末端分别位于所述第一边缘外侧部和所述第二边缘外侧部的外侧;

所述第一末端和所述第二末端上依次层叠设置有所述底电极、所述压电层和所述密封层。

4.根据权利要求3所述的具有薄膜封装的体声波谐振器,其特征在于,所述第一末端和所述第二末端的长度为横向传播声波的波长的四分之一的奇数倍。

5.根据权利要求1所述的具有薄膜封装的体声波谐振器,其特征在于,所述封装薄膜层的材料包括氮化铝、氧化铝、聚酰亚胺、环氧树脂和硅酸乙酯中的一种。

6.根据权利要求1所述的具有薄膜封装的体声波谐振器,其特征在于,所述密封层的材料为氮化硅和氧化硅中的一种。

7.一种体声波谐振器的制造方法,用于制造权利要求1-6任一项所述的具有薄膜封装的体声波谐振器,其特征在于,包括:

在所述衬底上设置第一声学镜;

在所述衬底和所述第一声学镜上沉积底电极,并进行图形化;

在所述底电极上沉积压电层,并进行图形化;

在所述压电层和所述顶电极上设置第二声学镜;

在所述第二声学镜和所述压电层上生长封装薄膜层;

在所述封装薄膜层上生长密封层。

8.根据权利要求7所述的体声波谐振器的制造方法,其特征在于,所述在所述压电层和所述顶电极上设置第二声学镜的步骤,包括:

在所述压电层和所述顶电极上沉积牺牲层;

根据所述第二声学镜的形状,对所述牺牲层进行图形化;

释放所述牺牲层,得到所述第二声学镜。

9.一种体声波滤波器,其特征在于,包括如权利要求1-6中任一项所述的具有薄膜封装的体声波谐振器。

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