[发明专利]一种具有薄膜封装的体声波谐振器、制造方法及滤波器有效

专利信息
申请号: 202211588810.4 申请日: 2022-12-12
公开(公告)号: CN115589212B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 雷强;董元旦;杨涛;许夏茜;赵孟娟 申请(专利权)人: 成都频岢微电子有限公司
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H9/10;H03H9/13;H03H9/54;H03H3/02
代理公司: 成都拓荒者知识产权代理有限公司 51254 代理人: 杨争华
地址: 610000 四川省成都市郫县郫*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 薄膜 封装 声波 谐振器 制造 方法 滤波器
【说明书】:

本申请公开了一种具有薄膜封装的体声波谐振器、制造方法及滤波器,解决了现有技术中体声波谐振器成本高的技术问题。本申请的具有薄膜封装的体声波谐振器,包括:衬底;第一声学镜;底电极;压电层;顶电极;第二声学镜;封装薄膜层;密封层;其中,所述第一声学镜、底电极、压电层、顶电极、第二声学镜、封装薄膜层和密封层在所述衬底上依次层叠设置;所述密封层用于对体声波谐振器进行密封。本申请的方案实现体声波谐振器的独立封装,保证体声波谐振器不受外界干扰,降低了成本。

技术领域

本申请涉及电子通信技术领域,具体涉及一种具有薄膜封装的体声波谐振器、制造方法及滤波器。

背景技术

体声波谐振器具有高工作频率、高品质因数、小体积、滚降效应好等优点,相应的体声波滤波器具有低插入损耗、高矩形系数、高功率容量等优点。因此,这类小型化、高性能的体声波滤波器和多工器被广泛应用在无线通讯系统的射频前端中,在无线通信射频领域发挥巨大作用。

由于体声波谐振器有效区边缘底电极刻蚀后存在斜面,导致压电薄膜的晶向倾斜,进而产生横向寄生模式。横向寄生模式的声波会在谐振器有效区边界处泄露进衬底中,在谐振器的电学性能上表现为并联阻抗或并联谐振频率的品质因数减小。

现有技术中,为了抑制谐振器在边缘处横向的寄生模式声波的泄露,一般会在谐振器顶电极的边缘处设置凸起结构或者悬翼结构形成声阻抗不匹配结构,将横向模式的声波反射并限定在谐振器的有效区域内,提高谐振器并联谐振频率的品质因数。但这些方式都会产生额外的光刻掩膜版,导致成本增加。同时,现有体声波滤波器为了提高可靠性,都会采用额外的帽晶圆进行晶圆级封装,以保证体声波滤波器不被外界环境干扰。晶圆级封装不仅会使体声波滤波器厚度增加,导致体积增大,还增加了额外的成本。

发明内容

为了解决现有技术存在的至少一个问题,本申请的至少一个实施例提供了一种具有薄膜封装的体声波谐振器、制造方法及滤波器。

第一方面,本发明实施例提供了一种具有薄膜封装的体声波谐振器,包括:

衬底;

第一声学镜;

底电极;

压电层;

顶电极;

第二声学镜;

封装薄膜层;

密封层;

其中,所述第一声学镜、底电极、压电层、顶电极、第二声学镜、封装薄膜层和密封层在所述衬底上依次层叠设置;

所述密封层用于对体声波谐振器进行密封。

优选的,所述第一声学镜位于所述衬底上或嵌于所述衬底内部

所述第一声学镜包括第一主体、位于所述第一主体两侧的第一边缘部和第二边缘部、位于所述第一边缘部外侧的第一边缘外侧部以及位于所述第二边缘部外侧的第二边缘外侧部;

所述底电极位于所述第一声学镜上,所述底电极包括第一端和第二端,所述第一端和所述第二端延伸至所述衬底上;

所述压电层设置于所述底电极上并与所述底电极和所述衬底充分接触;

所述顶电极设置于所述压电层上方并与所述第一声学镜的第一主体对齐;

所述第二声学镜的包括设置于所述顶电极上的第二主体,所述第二声学镜还包括设置于所述压电层上的第三边缘部和第四边缘部,所述三边缘部和所述第四边缘部分别与所述第一边缘部和第二边缘部对齐。

优选的,所述第一边缘部、所述第二边缘部、所述第一边缘外侧部和所述第二边缘外侧部的长度均为横向传播声波的波长的四分之一的奇数倍。

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