[发明专利]一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置

权利要求书

1.一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置，包括进料仓(1)，其特征在于：所述进料仓(1)的顶端开设有方口，所述进料仓(1)的内部固定连接有固定斜板(2)；

所述进料仓(1)的内部设置有转动组件，所述转动组件包括弧形板(3)，所述弧形板(3)设置有多个，所述弧形板(3)转动连接在进料仓(1)的内部；

所述进料仓(1)的外部设置有驱动组件；

所述进料仓(1)的底端固定连接有支撑板(16)，所述支撑板(16)的顶端设置有移动组件；

所述进料仓(1)的一侧设置有悬挂组件。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置，其特征在于：所述驱动组件包括第一固定座(4)，所述第一固定座(4)固定连接在进料仓(1)的外部，所述第一固定座(4)的顶端固定连接有第一电机(5)，所述第一电机(5)靠近进料仓(1)的一侧转动连接有第一转动轴(6)，所述第一转动轴(6)的外部固定连接有齿轮(7)，所述进料仓(1)的外部固定连接有固定架(8)，所述固定架(8)的内部转动连接有转动柱(9)，所述转动柱(9)靠近进料仓(1)的一侧固定连接有限位弧块(10)。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置，其特征在于：所述移动组件包括第二电机(15)，所述第二电机(15)固定连接在支撑板(16)的顶端，所述第二电机(15)靠近进料仓(1)的一侧转动连接有第二转动轴(14)，所述第二转动轴(14)的外部螺纹连接有移动环(13)，所述移动环(13)的外部固定连接有连接块(12)，所述连接块(12)的顶端固定连接有移动板(11)，所述支撑板(16)的顶端固定连接有两个固定导轨(17)，所述第二电机(15)位于两个固定导轨(17)之间，所述移动板(11)滑动连接在固定导轨(17)的顶端，所述固定导轨(17)的内部滑动连接有缓冲板(20)，所述缓冲板(20)远离进料仓(1)的一侧固定连接有移动柱(19)，所述移动柱(19)远离缓冲板(20)的一侧滑动连接有固定柱(18)。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置，其特征在于：所述悬挂组件包括悬挂框架(21)，所述悬挂框架(21)固定连接在进料仓(1)的一侧，所述悬挂框架(21)远离进料仓(1)的一端固定连接有第三电机(2101)，所述第三电机(2101)靠近悬挂框架(21)的一侧转动连接有第三转动轴(2102)，所述第三转动轴(2102)的外部滑动连接有移动杆(22)，所述移动杆(22)的顶端固定连接有圆柱杆(23)，所述圆柱杆(23)的顶端固定连接有固定杆(24)，所述固定杆(24)的底端固定连接有两个液压柱(25)，所述液压柱(25)的底部滑动连接有伸缩杆(26)，所述伸缩杆(26)的外部固定连接有限位板(2601)，所述伸缩杆(26)的底端固定连接有第一连杆(27)。

5.根据权利要求4所述的一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置，其特征在于：所述第一连杆(27)的一侧设置有夹紧组件，所述夹紧组件包括第二固定座(28)，所述第二固定座(28)固定连接在第一连杆(27)的一侧，所述第二固定座(28)的顶端固定连接有第四电机(29)，所述第四电机(29)靠近第一连杆(27)的一侧转动连接有第四转动轴(2901)，所述第四转动轴(2901)远离第四电机(29)的一侧固定连接有双向螺纹杆(34)，所述双向螺纹杆(34)转动连接在第一连杆(27)的内部，所述双向螺纹杆(34)的外部螺纹连接有两个导向环(35)，所述第一连杆(27)的底端固定连接有两个第二连杆(30)，所述导向环(35)的底端固定连接有第三连杆(33)，所述第三连杆(33)滑动连接在第二连杆(30)的内部，所述第二连杆(30)的顶端开设有多个移动槽(31)，所述第三连杆(33)的顶端固定连接有多个导向块(32)，所述导向块(32)滑动连接在移动槽(31)的内部，所述第三连杆(33)的底端固定连接有多个夹紧块(3201)，两个所述夹紧块(3201)相对的一侧均固定连接有圆块。