[发明专利]多波段紫外光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种多波段紫外光电探测器，其特征在于，所述多波段紫外光电探测器包括依次叠层贴合设置的基底、紫外光探测层和二维功能层，以及与所述紫外光探测层和所述二维功能层同时形成欧姆接触的第一电极和第二电极；所述二维功能层中负载有量子点。

2.如权利要求1所述的多波段紫外光电探测器，其特征在于，所述紫外光探测层包括Ga₂O₃、GaN、AlGaN、ZnO、GaAs、InAs、InP、CdTe、Ge中的至少一种紫外光探测材料；

和/或，所述二维功能层中包括二维材料层，所述二维材料层包括六方氮化硼、二维二硫化钼、二维二硒化钼、二维二硫化钨、二维硫化锡、二维硅烯、锗烯、黑磷、石墨烯中的至少一种二维材料；

和/或，所述量子点包括PbSe、PbS、HgTe、CsPbCl₃、MAPbCl₃、CsPbBr₃、MAPbBr₃中的至少一种。

3.如权利要求1或2所述的多波段紫外光电探测器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极设置在所述二维功能层相对的两侧，且所述第一电极和所述第二电极生长在所述紫外光探测层的表面；

或者，所述第一电极和所述第二电极设置在所述二维功能层相对的两侧，且所述第一电极和所述第二电极部分生长在所述紫外光探测层内部。

4.如权利要求3所述的多波段紫外光电探测器，其特征在于，所述紫外光探测层的厚度为10～100nm；

和/或，所述二维材料层的厚度为2～20nm；

和/或，所述二维功能层中，负载的所述量子点的厚度为20～100nm；

和/或，所述第一电极和所述第二电极选自Ti/Au/Ti。

5.一种多波段紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取洁净的基底，在所述基底的一表面制备紫外光探测层；

在所述紫外光探测层背离所述基底的表面制备相对设置的第一电极和第二电极；

在所述紫外光探测层的所述第一电极和所述第二电极之间制备二维功能层，所述二维功能层中负载有量子点，得到多波段紫外光电探测器。

6.如权利要求5所述的多波段紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，制备所述紫外光探测层的步骤包括：采用金属有机化合物化学气相沉积法在所述基底的一表面沉积紫外光探测材料，形成所述紫外光探测层；

和/或，所述紫外光探测层包括Ga₂O₃、GaN、AlGaN、ZnO、GaAs、InAs、InP、CdTe、Ge中的至少一种紫外光探测材料；

和/或，所述紫外光探测层的厚度为10～100nm。

7.如权利要求5或6所述的多波段紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极生长在所述紫外光探测层的表面，制备所述第一电极和所述第二电极的步骤包括：采用电子束在所述紫外光探测层表面光刻电极图案后，在所述电极图案区域沉积电极材料，在所述紫外光探测层的表面形成相对设置的所述第一电极和所述第二电极；

或者，所述第一电极和所述第二电极部分生长在所述紫外光探测层的内部，制备所述第一电极和所述第二电极的步骤包括：在所述紫外光探测层的表面沉积光刻胶，曝光出电极图案后进行刻蚀处理，沉积电极材料，形成相对设置的所述第一电极和所述第二电极；且所述第一电极和所述第二电极的高于所述紫外光探测层的表面。

8.如权利要求7所述的多波段紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述刻蚀处理的条件包括：在射频功率为150～600W，压力为1～3Pa，刻蚀气体与载体的流量比为(5～20):(20～5)的条件下，刻蚀5～20分钟；

和/或，所述电极材料包括Ti、Au、Ag中的至少一种金属。