[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202211657450.9 | 申请日: | 2022-12-22 |
公开(公告)号: | CN116387320A | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 罗传宝 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 高爽 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括基板和设置于所述基板上的多个感光单元,所述感光单元包括相串联的感光晶体管和读取晶体管,所述感光晶体管包括第一有源层,所述读取晶体管包括第二有源层;
其中,所述第一有源层的材料和所述第二有源层的材料均为氧化物半导体。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一有源层的材料的费米能级大于所述第二有源层的材料的费米能级,所述第一有源层的材料的氧空位浓度大于所述第二有源层的材料的氧空位浓度。
3.根据权利要求1-2任一项所述的显示面板,其特征在于,所述感光晶体管还包括第一栅极绝缘层和第一栅极,所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一有源层,所述第一栅极设置于所述第一栅极绝缘层远离所述基板的一侧;其中,所述第一栅极由透明材料构成。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述读取晶体管还包括第二栅极绝缘层和第二栅极,所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二有源层,所述第二栅极设置于所述第二栅极绝缘层远离所述基板的一侧;其中,所述第二栅极由不透明材料构成。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第一层间介质层,所述第一有源层设置于所述第一层间介质层远离所述基板的一侧,所述第一层间介质层覆盖所述第二栅极。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述感光晶体管还包括第一源极和第一漏极,所述读取晶体管还包括第二源极和第二漏极;
所述显示面板还包括第二层间介质层,所述第二层间介质层覆盖所述第一栅极,所述第一源极、所述第一漏极和所述第二源极均设置于所述第二层间介质层远离所述基板一侧的表面上;
其中,所述第二源极和所述第二漏极中的一者在所述基板上的正投影覆盖所述第二有源层的沟道在所述基板上的正投影。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括保护层,所述保护层覆盖所述第一源极、所述第一漏极和所述第二源极;
其中,所述第二漏极设置于所述保护层远离所述基板一侧的表面,并通过贯穿所述保护层、所述第二层间介质层和所述第一层间介质层的过孔与所述第二有源层的一端电连接。
8.根据权利要求6-7任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第二源极和所述第二漏极中的另一者在所述基板上的正投影与所述第二有源层的沟道在所述基板上的正投影不重叠。
9.根据权利要求4-7任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括缓冲层,所述缓冲层设置在所述第二有源层与所述基板之间;
所述感光晶体管还包括第三栅极绝缘层和第三栅极,所述第三栅极绝缘层设置在所述缓冲层背离所述基板一侧表面,所述第三栅极设置在所述第三栅极绝缘层背离所述基板一侧表面,且所述第一层间介质层覆盖所述第三栅极。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述读取晶体管还包括设置于所述基板与所述缓冲层之间的遮光层,所述遮光层在所述基板上的正投影覆盖所述第二有源层在所述基板上的正投影;
其中,所述第二源极通过贯穿所述第二层间介质层、所述第一层间介质层和所述缓冲层的通孔与所述遮光层电连接。
11.根据权利要求1-10任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述基板上的驱动单元,所述驱动单元包括驱动晶体管,所述驱动晶体管包括第三有源层,所述第三有源层的材料为氧化物半导体;
其中,所述第一有源层的材料的氧空位浓度大于所述第三有源层的材料的氧空位浓度,所述第一有源层的材料的费米能级大于所述第三有源层的材料的费米能级。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述驱动晶体管的各膜层与所述读取晶体管对应的各膜层均同层设置。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-12任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的