[发明专利]半导体工艺设备的自动补液装置及其排空方法

权利要求书

1.一种半导体工艺设备的自动补液装置，所述装置包括自动补液液源、进液管路、汽化器、主进气管路、第一排气管路、排气泵，所述进液管路的第一端F1连接所述自动补液液源，所述进液管路的第二端F2连接所述汽化器中储液装置的入口，所述主进气管路的第一端S1连接所述储液装置的出口，所述主进气管路的第二端S2用于连接所述半导体工艺设备的工艺腔室，所述主进气管路上具有K4位置，所述K4位置位于所述汽化器后端，所述第一排气管路的第一端连接至所述主进气管路上的所述K4位置处，所述第一排气管路的第二端连接所述排气泵的抽气端，所述排气泵的排气口用于连接尾气处理装置，其特征在于，所述装置还包括第一吹扫气源、第二吹扫气源、第一吹扫管路、第二排气管路、第一阀门组件，其中：

所述第一吹扫气源通过所述第一吹扫管路连接至所述进液管路上的K1位置处，所述K1位置位于所述汽化器前端；

所述第二吹扫气源连接至所述进液管路的所述第一端F1；

所述第二排气管路的第一端连接至所述进液管路上的K3位置处，所述K3位置位于所述第一端F1和所述K1位置之间，所述第二排气管路的第二端连接所述排气泵的抽气端；

所述第一阀门组件设置于所述进液管路上，并位于所述第一端F1和所述K3位置之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第二阀门组件、第三阀门组件、第四阀门组件、第五阀门组件、第六阀门组件和第七阀门组件，其中：

所述第二阀门组件设置于所述第一吹扫管路上；

所述第三阀门组件设置于所述第二排气管路上；

所述第四阀门组件设置于所述进液管路上，并位于所述K1位置和所述第二端F2之间；

所述第五阀门组件设置于所述主进气管路上，并位于所述汽化器和所述K4位置之间；

所述第六阀门组件设置于所述主进气管路上，并位于所述K4位置和所述第二端S2之间；

所述第七阀门组件设置于所述第一排气管路上。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第二吹扫管路和热交换器，所述第二吹扫管路的第一端连接至所述第一吹扫气源，所述第二吹扫管路的第二端连接至所述主进气管路的K2位置处，所述K2位置位于汽化器内，所述热交换器设置于所述第二吹扫管路上，以对流经所述第二吹扫管路的气体进行加热。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第八阀门组件，所述第八阀门组件设置于所述第二吹扫管路上，并位于所述热交换器和所述第二吹扫管路的第二端K2之间。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括真空检测设备和真空监测管路，所述真空监测设备通过所述真空监测管路连接至所述主进气管路的K5位置处，所述K5位置位于所述汽化器和所述K4位置之间，所述真空监测设备用于监测所述汽化器与所述工艺腔室之间的主进气管路是否存在泄漏。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第九阀门组件，所述第九阀门组件设置于所述真空监测管路上。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述汽化器还包括第一质量流量计，所述第一质量流量计设置于所述主进气管路上，并位于所述K2位置后端。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第三吹扫气源、第三吹扫管路、调压阀门组件、压力传感器、浮子流量计、第三排气管路、压差计和针阀，所述汽化器的壳体上设置有进气口和出气口，其中：

所述第三吹扫管路的第一端连接所述第三吹扫气源，所述第三吹扫管路的第二端连接所述壳体的所述进气口，所述调压阀门组件、所述压力传感器、所述浮子流量计依次设置于所述第三吹扫管路的第一端和第二端之间；

所述第三排气管路的第一端连接所述壳体的所述出气口，所述第三排气管路的第二端用于排出气体，所述压差计和所述针阀依次设置于所述第三排气管路的第一端和第二端之间。