[发明专利]镭射烧靶后载板CCD靶标对位的识别率提升方法

说明书

本发明涉及芯片图像识别技术领域，具体涉及一种镭射烧靶后载板CCD靶标对位的识别率提升方法。本发明包括如下步骤：S1、芯板的涂覆保护：在芯板的涂覆区域涂覆油墨，用于保护CCD的识别区域；S2、芯板的打磨粗化：在芯板的粗化区域打磨粗化，用于提高与配板压合的紧密程度；S3、镭射烧靶的保护：在芯板的涂覆区域镭射烧靶，用于清除油墨后形成靶标；S4、靶标的CCD识别：利用CCD识别的靶标的相对暗区和相对亮区，用于提高识别率。本发明经过涂覆油墨后的靶标，间接提高靶标的对比度，从而将载板CCD的靶标识别率由95％提升至100％。

技术领域

本发明涉及芯片图像识别技术领域，具体涉及一种镭射烧靶后载板CCD靶标对位的识别率提升方法。

背景技术

现行业内，为保证镭射钻孔和图形的对位精度，板面镭射钻孔加工和图形曝光时均需抓取靶标进行对位，通常CCD抓取标靶需要具有明显亮暗对比度才能成功抓取。CCD抓取的二值化影像，光反射强区为亮区，光反射弱区为暗区。一般靶标设计为中心靶标圆形，中心靶标圆二值化影像有两种，靶标圆分别为亮区和暗区。现有靶标设计，以镭射烧靶后下层树脂图形作为靶标圆，将树脂作为亮区，粗化面铜箔作为暗区。该设计会因两种情况影响靶标识别，一种是镭射烧靶后底部有钻污残留，影响树脂亮度；另一种由于镭射烧靶对下层的粗化铜面进行攻击，粗化面铜箔有概率出现亮点，影响铜箔面暗度。该两种情况均会导致CCD抓取标靶黑白对比度下降，因此为保证CCD对靶标的识别，情况一需要经过去钻污线清除镭射烧靶时铜箔面树脂钻污残留，增加树脂亮度；情况二通过黑化处理铜面，增加铜箔面暗度。经过去钻污和黑化处理的靶标，CCD抓取时靶标圆树脂为亮区，黑化铜箔作为暗区。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种镭射烧靶后载板CCD靶标对位的识别率提升方法，在芯板层铜箔粗化前涂覆油墨保护靶标，间接提高靶标的对比度。

本发明的技术方案为：

一种镭射烧靶后载板CCD靶标对位的识别率提升方法，包括如下步骤：

S1、芯板的涂覆保护：在芯板的涂覆区域涂覆油墨，用于保护CCD的识别区域；

S2、芯板的打磨粗化：在芯板的粗化区域打磨粗化，用于提高与配板压合的紧密程度；

S3、镭射烧靶的保护：在芯板的涂覆区域镭射烧靶，用于清除油墨后形成靶标；

S4、靶标的CCD识别：利用CCD识别的靶标的相对暗区和相对亮区，用于提高识别率。

优选地，所述步骤S1中，涂覆区域包括中部凹槽和铜箔平台；中部凹槽为树脂，铜箔平台为铜箔的部分上表面。

优选地，所述步骤S2中，粗化区域为铜箔未涂覆油墨的粗化层，即铜箔最外侧的环形周缘。

优选地，所述步骤S3和S4中，靶标的范围与涂覆区域一致，相对暗区对应中部凹槽，相对亮区对应铜箔平台。

优选地，所述镭射烧靶的整套工艺阶段分为：

芯板阶段：制成芯板，芯板自下而上依次包括铜箔、树脂、铜箔；

开窗阶段：有靶标圆窗蚀刻开窗；

涂覆阶段：芯板的涂覆区域涂覆保护；

粗化阶段：芯板的粗化区域打磨粗化；

配板阶段：压合准备、按压合结构配板；

压合阶段：树脂和铜箔固化压合；

黑化阶段：铜箔黑化；

镭射阶段：镭射露出靶标，形成相对暗区和相对亮区。

优选地，所述步骤S1发生于涂覆阶段、步骤S2发生于粗化阶段、步骤S3发生于镭射阶段。