[发明专利]一种氮化铪基涂层及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211713712.9 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116377384A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李宇涵;南勋;王博;王诗阳 | 申请（专利权）人： | 嘉兴鸷锐新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/02;C23C14/32;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理有限公司 11562 | 代理人： | 牛娟妮 |
| 地址： | 314032 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 涂层 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种氮化铪基涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
先用离子源在氮气气氛下轰击基体表面，再在基体表面沉积纯HfN涂层或HfN复合涂层，得到所述氮化铪基涂层；
所述HfN复合涂层为HfN与TiN和/或ZrN复合。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基体包括高速钢，硬质合金，金属陶瓷，陶瓷和立方氮化硼中的一种或多种复合。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述轰击基体的偏压为-1200V，时间为1～2min，轰击时通入的氮气压强为0.2～0.5Pa。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在基体表面沉积纯HfN涂层或HfN复合涂层的方法包括磁控溅射或阴极电弧离子镀。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射或阴极电弧离子镀的靶材成分按质量分数计，包括：Hf10％～100％，其余为Ti和/或Zr。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的具体条件为：载气为氩气和/或氪气，反应气为氮气；其中氩气流量为100～350sccm，氪气流量为60～230sccm，氮气流量为40～130sccm；沉积中基体偏压为-200～500V，辅助阳极电压为-200～400V。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述阴极电弧离子镀的具体条件为：氮气总压为0.6～1.1Pa，弧电流为60～70A，弧电压为15～26V，沉积中基体偏压为-100～500V。
8.根据权利要求1～7任一项所述氮化铪基涂层的制备方法制得的氮化铪基涂层，其特征在于，所述氮化铪基涂层的厚度为5～30μm。
9.权利要求8所述氮化铪基涂层在制备切削工具或耐磨零件的烧结体中的应用。
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