[实用新型]一种等离子设备

说明书

本实用新型实施例提供了一种等离子设备，包括：反应腔室，反应腔室的一端设有进气口，另一端设有排气口；反应托盘，反应托盘位于反应腔室中用于承载基片，其盘面与反应腔室中气体流动的方向平行；连接轴，连接轴的一端固定在反应托盘的中轴点上，另一端穿过反应腔室的侧壁与动力装置连接；动力装置，动力装置用于驱动连接轴旋转，连接轴旋转带动反应托盘旋转。改进后的等离子设备中反应托盘能够在动力装置和连接轴的驱动下旋转，在刻蚀中反应托盘以一定的速率旋转，使得反应托盘上承载的基片在各个位置附近的刻蚀气体浓度均匀，有效地避免靠近进气口位置的基片区域较远离进气口位置的刻蚀气体浓度更高，导致的刻蚀速率不相同的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工制造设备技术领域，尤其涉及一种等离子设备。

背景技术

等离子体刻蚀设备在LED行业中通常使用于材料表面的残胶去除及表面活化。设备结构如图1所示，主要包含设备反应腔体，进气管路，排气管路及反应卡夹等部分组成。刻蚀气体从进气管路进入设备反应腔体，通过排气管路抽出排入尾气处理系统，刻蚀气体在反应腔体内平行流动。反应卡夹中待刻蚀晶圆垂直放置，可同时放置多片晶圆。刻蚀过程中刻蚀气体通过气体水平流动及扩散接触待刻蚀晶圆表面并进行刻蚀，由于受到刻蚀气体的流动及及待反应晶圆摆放位置的影响，会出现刻蚀气体的浓度梯度。靠近气体分流板位置反应气体浓度较高，远离气体分流板的位置浓度较低。导致待反应晶圆顶部较底部刻蚀速率更快，靠近气体分流板的晶圆较远离气体分流板的刻蚀速率更快，最终表现为晶圆的刻蚀均匀性差，产品良率低。

因此，如何提高等离子刻蚀设备中晶圆的刻蚀均匀性是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种等离子设备，旨在解决目前的等离子设备在蚀刻过程中由于气体浓度差导致的蚀刻不均匀的问题。

一种等离子设备，包括：

反应腔室，所述反应腔室的一端设有进气口，另一端设有排气口；

反应托盘，所述反应托盘位于所述反应腔室中用于承载基片，其盘面与所述反应腔室中气体流动的方向平行；

连接轴，所述连接轴的一端固定在所述反应托盘的中轴点上，另一端穿过所述反应腔室的侧壁与动力装置连接；

动力装置，所述动力装置用于驱动所述连接轴旋转，所述连接轴旋转带动所述反应托盘旋转。

上述等离子设备，在等离子设备中增加了反应托盘、连接轴和动力装置，其中反应托盘位于反应腔室中用于承载基片，其盘面与反应腔室中气体流动的方向平行，这样保证了反应托盘上的基片的放置方向与气体流动的方向平行，减少对气体流动的阻碍，降低了反应腔室中的气体浓度差，同时反应托盘还可以被连接轴和动力装置带动在反应腔室中旋转，让反应托盘上的基板在反应腔室内刻蚀的更加均匀。

可选地，所述反应托盘包括至少两层重叠的托盘，各层托盘之间的间距相同，各层托盘之间通过支撑柱连接固定。

反应托盘包括多层托盘可以增加一次刻蚀的基板数目，提高生产效率。

可选地，反应托盘的每一层托盘上均匀的放置所承载的基片。

基片均匀的放置在每一层托盘上，在托盘旋转的过程中可以让基片更加均匀的与刻蚀气体接触，从而进一步的提高刻蚀的均匀度。

附图说明

图1为现有的等离子刻蚀设备的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种等离子设备的结构示意图；

附图标记说明：

110-反应腔室、111-进气口、112-排气口、120-反应托盘、121-基片、122-托盘、123-支撑盘、130-连接轴、140-动力装置和A-气体流动方向。

具体实施方式