[实用新型]一种用于硅外延工艺的气流控制装置有效
申请号: | 202220294038.4 | 申请日: | 2022-02-14 |
公开(公告)号: | CN217239399U | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 沈恒文;吉双平;刘彤辉;金修领;郝小峰;王伟康;程宣林 | 申请(专利权)人: | 江苏艾匹克半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 杭州寒武纪知识产权代理有限公司 33271 | 代理人: | 殷筛网 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 外延 工艺 气流 控制 装置 | ||
本实用新型涉及硅外延技术领域,且公开了一种用于硅外延工艺的气流控制装置,包括顶针,所述顶针的外部设置有调节机构,所述调节机构包括针筒、固定筒和弹簧,所述固定筒固定连接在针筒的表面,所述固定筒的表面开设有有喷射孔,所述固定筒的两侧设置有圆形通孔,所述顶针的底部为倾斜设置,所述顶针与固定筒滑动连接,所述弹簧固定连接在顶针和针筒之间,所述弹簧与针筒滑动连接,所述调节机构还包括千分尺微分头和连接杆,所述连接杆的底部与顶针连接,所述千分尺微分头与连接杆的顶部连接。一种用于硅外延工艺的气流控制装置,通过设置调节机构的作用,整个装置达到方便对气流的流量进行调节的作用。
技术领域
本实用新型涉及硅外延技术领域,具体为一种用于硅外延工艺的气流控制装置。
背景技术
硅外延,在适合的晶体底层上的单个晶体半导体薄膜的生长就是外延生长,所有的“外延生长”大同小异,底层通常是由和沉积的半导体同种物质的晶体组成,但也不总是这样,高质量的单晶硅薄膜已经可以在合成蓝宝石或尖晶石wafer上生长了,因为这些物质都有像硅一样可以让晶核生长的晶体结构,合成蓝宝石或尖晶石的成本超过同尺寸的硅wafer太多了,所以大多数外延生长沉积还是在硅底层上生长硅薄膜,在硅外延工艺中需要对气流的大小进行控制,但是在现有技术中,不方便对气流的流量进行调节。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供了一种用于硅外延工艺的气流控制装置,解决了不方便对气流的流量进行调节的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于硅外延工艺的气流控制装置,包括顶针,所述顶针的外部设置有调节机构,所述调节机构包括针筒、固定筒和弹簧,所述固定筒固定连接在针筒的表面,所述固定筒的表面开设有有喷射孔,所述固定筒的两侧设置有圆形通孔,所述顶针的底部为倾斜设置,所述顶针与固定筒滑动连接,所述弹簧固定连接在顶针和针筒之间,所述弹簧与针筒滑动连接。
优选的,所述调节机构还包括千分尺微分头和连接杆,所述连接杆的底部与顶针连接,所述千分尺微分头与连接杆的顶部连接,使得连接杆带动顶针向下移动。
优选的,所述顶针的外部还设置有密封机构,所述密封机构包括金属波纹管、螺帽和金属垫片,所述金属波纹管设置在针筒的内部,所述螺帽设置在针筒的外部,所述金属垫片设置在螺帽和针筒之间,金属垫片与波纹管通过螺帽压紧直接实现金属密封,整个装置达到较高的密封性。
优选的,所述密封机构还包括密封圈,所述密封圈固定连接固定筒的外部,使得固定筒与针筒的连接处可以达到较高的密封性。
优选的,所述螺帽的表面固定连接有固定块,所述固定块的表面开设有滑槽,所述千分尺微分头与滑槽滑动连接,使得千分尺微分头可以在固定块的表面开设的滑槽中滑动。
优选的,所述固定块的表面开设有螺纹孔,所述螺纹孔的内部螺纹连接有螺栓,所述螺栓与千分尺微分头抵接,设置的螺栓可以固定千分尺微分头。
优选的,所述固定块的表面开设有卡槽,所述卡槽的表面卡接有微分头保护罩,使得可以对千分尺微分头进行防护。
本实用新型提供了一种用于硅外延工艺的气流控制装置。一种用于硅外延工艺的气流控制装置具备以下有益效果:
(1)本实用新型中:一种用于硅外延工艺的气流控制装置,通过设置调节机构的作用,整个装置达到方便对气流的流量进行调节的作用。
(2)本实用新型中:一种用于硅外延工艺的气流控制装置,通过设置密封机构的作用,金属垫片与波纹管通过螺帽压紧直接实现金属密封,整个装置达到较高的密封性。
附图说明
图1为本实用新型的主视结构示意图;
图2为本实用新型的剖视结构示意图;
图3为本实用新型的内部结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造