[实用新型]一种用于硅外延工艺的气流控制装置有效

专利信息
申请号: 202220294038.4 申请日: 2022-02-14
公开(公告)号: CN217239399U 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: 沈恒文;吉双平;刘彤辉;金修领;郝小峰;王伟康;程宣林 申请(专利权)人: 江苏艾匹克半导体设备有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 杭州寒武纪知识产权代理有限公司 33271 代理人: 殷筛网
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 外延 工艺 气流 控制 装置
【说明书】:

实用新型涉及硅外延技术领域,且公开了一种用于硅外延工艺的气流控制装置,包括顶针,所述顶针的外部设置有调节机构,所述调节机构包括针筒、固定筒和弹簧,所述固定筒固定连接在针筒的表面,所述固定筒的表面开设有有喷射孔,所述固定筒的两侧设置有圆形通孔,所述顶针的底部为倾斜设置,所述顶针与固定筒滑动连接,所述弹簧固定连接在顶针和针筒之间,所述弹簧与针筒滑动连接,所述调节机构还包括千分尺微分头和连接杆,所述连接杆的底部与顶针连接,所述千分尺微分头与连接杆的顶部连接。一种用于硅外延工艺的气流控制装置,通过设置调节机构的作用,整个装置达到方便对气流的流量进行调节的作用。

技术领域

本实用新型涉及硅外延技术领域,具体为一种用于硅外延工艺的气流控制装置。

背景技术

硅外延,在适合的晶体底层上的单个晶体半导体薄膜的生长就是外延生长,所有的“外延生长”大同小异,底层通常是由和沉积的半导体同种物质的晶体组成,但也不总是这样,高质量的单晶硅薄膜已经可以在合成蓝宝石或尖晶石wafer上生长了,因为这些物质都有像硅一样可以让晶核生长的晶体结构,合成蓝宝石或尖晶石的成本超过同尺寸的硅wafer太多了,所以大多数外延生长沉积还是在硅底层上生长硅薄膜,在硅外延工艺中需要对气流的大小进行控制,但是在现有技术中,不方便对气流的流量进行调节。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供了一种用于硅外延工艺的气流控制装置,解决了不方便对气流的流量进行调节的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于硅外延工艺的气流控制装置,包括顶针,所述顶针的外部设置有调节机构,所述调节机构包括针筒、固定筒和弹簧,所述固定筒固定连接在针筒的表面,所述固定筒的表面开设有有喷射孔,所述固定筒的两侧设置有圆形通孔,所述顶针的底部为倾斜设置,所述顶针与固定筒滑动连接,所述弹簧固定连接在顶针和针筒之间,所述弹簧与针筒滑动连接。

优选的,所述调节机构还包括千分尺微分头和连接杆,所述连接杆的底部与顶针连接,所述千分尺微分头与连接杆的顶部连接,使得连接杆带动顶针向下移动。

优选的,所述顶针的外部还设置有密封机构,所述密封机构包括金属波纹管、螺帽和金属垫片,所述金属波纹管设置在针筒的内部,所述螺帽设置在针筒的外部,所述金属垫片设置在螺帽和针筒之间,金属垫片与波纹管通过螺帽压紧直接实现金属密封,整个装置达到较高的密封性。

优选的,所述密封机构还包括密封圈,所述密封圈固定连接固定筒的外部,使得固定筒与针筒的连接处可以达到较高的密封性。

优选的,所述螺帽的表面固定连接有固定块,所述固定块的表面开设有滑槽,所述千分尺微分头与滑槽滑动连接,使得千分尺微分头可以在固定块的表面开设的滑槽中滑动。

优选的,所述固定块的表面开设有螺纹孔,所述螺纹孔的内部螺纹连接有螺栓,所述螺栓与千分尺微分头抵接,设置的螺栓可以固定千分尺微分头。

优选的,所述固定块的表面开设有卡槽,所述卡槽的表面卡接有微分头保护罩,使得可以对千分尺微分头进行防护。

本实用新型提供了一种用于硅外延工艺的气流控制装置。一种用于硅外延工艺的气流控制装置具备以下有益效果:

(1)本实用新型中:一种用于硅外延工艺的气流控制装置,通过设置调节机构的作用,整个装置达到方便对气流的流量进行调节的作用。

(2)本实用新型中:一种用于硅外延工艺的气流控制装置,通过设置密封机构的作用,金属垫片与波纹管通过螺帽压紧直接实现金属密封,整个装置达到较高的密封性。

附图说明

图1为本实用新型的主视结构示意图;

图2为本实用新型的剖视结构示意图;

图3为本实用新型的内部结构示意图;

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