[实用新型]半导体烘烤箱

说明书

本实用新型提供一种半导体烘烤箱，其包括壳体、过滤元件、鼓风机及导流元件。壳体具有外壁与内壁。外壁与内壁之间定义出气体流道。内壁围绕出容置空间，且配置容置空间以容纳晶圆。过滤元件位于内壁的第一侧。气体流道经由过滤元件与容置空间连通。鼓风机位于气体流道中。导流元件位于内壁的第二侧。导流元件具有进气口与出气口。进气口邻近且朝向过滤元件，出气口邻近内壁的第三侧且朝向容置空间。当鼓风机运作时，在气体流道中形成气流通过过滤元件进入容置空间及导流元件的进气口。经由以上配置，可有效防止容置空间的角落产生气体停滞区。

技术领域

本实用新型有关一种半导体烘烤箱。

背景技术

用于半导体晶圆的烘烤箱可于半导体制程中固化某些材料的层，且具有排出挥发物的功能。前述能力将会影像产品良率。

一般而言，半导体烘烤箱内部的相对两侧可分别为进气区与出气区。然而，进气区与出气区的位置与尺寸未经特殊设计，气流易在烘烤箱内部的角落产生停滞区。当多个晶圆位于烘烤箱内部烘烤时，停滞区将不利于晶圆的固化均匀性。此外，半导体烘烤箱的周围有气体流道，可接收从烘烤箱内部的出气区流出的气体(即带有挥发物的气体)。气体流道中的加热器可对使用过的气体加热，接着可混入新鲜气体(即干净气体)，并在进气区之前排出过多的气体。然而，上述设计会导致使用过的气体所占比例过高，而加入的新鲜气体所占比例过低，不仅造成干净气体的浪费，还会造成产品良率下降。

实用新型内容

本实用新型的一技术态样为一种半导体烘烤箱。

根据本实用新型的一些实施方式，一种半导体烘烤箱包括壳体、过滤元件、鼓风机及导流元件。壳体具有外壁与内壁。外壁与内壁之间定义出气体流道。内壁围绕出容置空间，且配置容置空间以容纳晶圆。过滤元件位于内壁的第一侧。气体流道经由过滤元件与容置空间连通。鼓风机位于气体流道中。导流元件位于内壁的第二侧。导流元件具有进气口与出气口。进气口邻近且朝向过滤元件，出气口邻近内壁的第三侧且朝向容置空间。当鼓风机运作时，在气体流道中形成气流通过过滤元件进入容置空间及导流元件的进气口。

在一些实施方式中，上述导流元件的进气口的方向与出气口的方向垂直。

在一些实施方式中，上述导流元件还包括挡板。挡板可移动地位于导流元件的出气口。

在一些实施方式中，上述鼓风机的位置与内壁的第二侧的位置相对应。

在一些实施方式中，上述内壁的第三侧具有主出气口，气体流道经由第三侧的主出气口与容置空间连通。

在一些实施方式中，上述半导体烘烤箱还包括加热器。加热器位于气体流道中，且在第三侧的出气口的下游处与鼓风机的上游处。

在一些实施方式中，上述半导体烘烤箱还包括排气管。排气管穿过外壁以连通气体流道，且排气管位于加热器的下游处与鼓风机的上游处。

在一些实施方式中，上述半导体烘烤箱还包括进气管。进气管穿过外壁以连通气体流道，且进气管位于排气管的下游处与鼓风机的上游处。

在一些实施方式中，上述半导体烘烤箱还包括闸门。闸门设置于壳体外的排气管上。

在一些实施方式中，上述半导体烘烤箱还包括传送门。传送门位于壳体上，且传送门与内壁的第二侧相对。

在本实用新型上述实施方式中，由于半导体烘烤箱具有位于壳体的内壁的第二侧的导流元件，且导流元件的进气口邻近且朝向过滤元件，导流元件的出气口邻近内壁的第三侧且朝向容置空间，因此当气体流道中的鼓风机运作时，在气体流道中形成的气流可在通过过滤元件后分成两部分的气流，一部分的气流直接进入容置空间，另一部分的气流则先进入导流元件的进气口并从邻近第三侧的导流元件的出气口流出才进入容置空间。如此一来，可有效防止容置空间的角落产生气体停滞区。当多个晶圆位于此半导体烘烤箱中烘烤时，将有利于晶圆的固化均匀性(Curing degree uniformity)。