[实用新型]高亮度半导体发光器件

权利要求书

1.一种高亮度半导体发光器件，包括具有第一表面的基板，其特征在于，还包括：

外延层，所述外延层包括依次层叠于第一表面上的第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，所述第二半导体层远离多量子阱层的一表面上设有电流阻挡层以及用于包覆电流阻挡层的透明导电层，所述电流阻挡层正上方的透明导电层上设有与其电连接的第二导电电极，所述外延层上设有至少一个贯穿多量子阱层以及第二半导体层的凹槽，每个所述凹槽内的第一半导体层上均设有与其电连接的第一导电电极；

复合反射层组，所述复合反射层组层叠于整个外延层上且其在每个第一导电电极的上方部位均设有贯穿其的第一通孔以及其在所述第二导电电极的上方设有贯穿其的第二通孔，所述第一通孔和第二通孔内分别设有延伸至所述复合反射层组表面的第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述第一导电焊盘和第二导电焊盘之间设有间隙。

2.根据权利要求1所述的高亮度半导体发光器件，其特征在于，所述基板还包括与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面上层叠有光学膜层，所述光学膜层包括多个交替层叠的第一反射子层以及第二反射子层，且所述第一反射子层的折射率小于第二反射子层的折射率。

3.根据权利要求2所述的高亮度半导体发光器件，其特征在于，所述光学膜层包括奇数个子层，其第一个子层和最后一个子层均为第一反射子层，所述第一反射子层的材料为二氧化硅，所述第二反射子层的材料为五氧化三钛。

4.根据权利要求1所述的高亮度半导体发光器件，其特征在于，所述复合反射层组包括钝化层以及层叠于所述钝化层上的复合反射层，所述钝化层为单层的二氧化硅薄膜，所述复合反射层包括预设周期个交替层叠的二氧化硅薄膜以及五氧化三钛薄膜，所述复合反射层中的第一层为五氧化三钛薄膜。

5.根据权利要求4所述的高亮度半导体发光器件，其特征在于，所述钝化层厚度为3000～7000埃米，所述复合反射层组的总厚度为3～6微米。

6.根据权利要求5所述的高亮度半导体发光器件，其特征在于，所述预设周期为5-50。

7.根据权利要求1所述的高亮度半导体发光器件，其特征在于，所述电流阻挡层为单层的二氧化硅薄膜，所述电流阻挡层的厚度为1000～3000埃米。

8.根据权利要求1所述的高亮度半导体发光器件，其特征在于，还包括缓冲层组，所述缓冲层组包括依次层叠于所述基板上的第一缓冲层、第二缓冲层以及第三缓冲层，所述第一缓冲层和第二缓冲层均为InN层，所述第三缓冲层为N型掺杂的InGaN层。

9.根据权利要求1所述的高亮度半导体发光器件，其特征在于，还包括电子阻挡层组，所述电子阻挡层组包括呈周期性依次交替设置的第一电子阻挡层和第二电子阻挡层，所述第一电子阻挡层层叠于所述多量子阱层上，任一所述第一电子阻挡层均为GaN层，任一所述第二电子阻挡层均为P型掺杂的AlGaN层。

10.根据权利要求1所述的高亮度半导体发光器件，其特征在于，所述第一导电电极和第二导电电极的厚度均为10～20微米，所述第一导电焊盘和第二导电焊盘的厚度均为20～30微米。