[实用新型]高亮度半导体发光器件

说明书

本实用新型提供一种高亮度半导体发光器件，包括具有第一表面和第二表面的基板、外延层以及复合反射层组，第二半导体层远离多量子阱层的一表面上设有电流阻挡层以及用于包覆电流阻挡层的透明导电层，电流阻挡层正上方的透明导电层上设有与其电连接的第二导电电极，外延层上设有至少一个贯穿多量子阱层以及第二半导体层的凹槽，每个凹槽内的第一半导体层上均设有与其电连接的第一导电电极；第一通孔和第二通孔内分别设有延伸至复合反射层组表面的第一导电焊盘和第二导电焊盘，第一导电焊盘和第二导电焊盘之间设有间隙。本实用新型提出的高亮度半导体发光器件，能够提高产品的发光效率和出光效率，以提升半导体发光器件的发光亮度。

技术领域

本实用新型涉及芯片制作技术领域，特别涉及一种高亮度半导体发光器件。

背景技术

近年来，半导体发光器件因其节能、环保、寿命长、响应速度快等优点而在白光照明、显示屏、紫外消毒等行业显现出巨大的优势。伴随着全球能源危机的到来，节能环保的理念深入人心。

然而，半导体发光器件一般包括P电极和N电极，受半导体发光器件的结构影响，电极处电阻分布不均匀，使得电极附近的电流存在严重的局部拥挤现象，造成半导体发光器件时常出现局部高温，从而影响发光效率，同时由于P电极一般处于发光方向一侧，其挡住了从有源区产生的光子，并吸收这部分光子最终转换成热，导致降低了半导体发光器件的出光效率，从而进一步降低了半导体发光器件的发光亮度。

实用新型内容

基于此，本实用新型提供一种高亮度半导体发光器件，目的在于通过设置透明导电层以减少电极处的电流拥挤，以避免发生局部高温现象，从而提高发光效率，同时通过设置复合反射层能够增大光线的透过率，从而提高出光效率，进而提高半导体发光器件的发光亮度。

一种高亮度半导体发光器件，包括具有第一表面的基板，还包括：

外延层，所述外延层包括依次层叠于所述第一表面上的第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，所述第二半导体层远离多量子阱层的一表面上设有电流阻挡层以及用于包覆电流阻挡层的透明导电层，所述电流阻挡层正上方的透明导电层上设有与其电连接的第二导电电极，所述外延层上设有至少一个贯穿多量子阱层以及第二半导体层的凹槽，每个所述凹槽内的第一半导体层上均设有与其电连接的第一导电电极；

复合反射层组，所述复合反射层组层叠于整个外延层上且其在每个第一导电电极的上方部位均设有贯穿其的第一通孔以及其在所述第二导电电极的上方设有贯穿其的第二通孔，所述第一通孔和第二通孔内分别设有延伸至所述复合反射层组表面的第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述第一导电焊盘和第二导电焊盘之间设有间隙。

综上，根据上述的高亮度半导体发光器件，通过在第二半导体层上设置一电流阻挡层，同时铺设一层透明导电层将电流阻挡层进行包覆，而后将第二导电电极设置在位于电流阻挡层正上方的透明导电层上，以使电极附近的电流分布均匀，避免电极处的电流较为拥挤，从而能够防止产品出现局部高温，进而提高半导体发光器件的发光效率，同时通过在多量子阱层与电极之间设置了电流阻挡层以及透明导电层，能够有效减少在电极处的出现光线，以避免电极对光线造成过多的遮蔽，进一步提高半导体发光器件的发光效率；通过设置所述复合反射层组，且该复合反射层组层叠于整个外延层上，能使光线从基板底部出射的同时，提高光线的透过率，进而提高出光效率，从而有效提升发光半导体器件的发光亮度。另外，通过在所述复合反射层上设置多个通孔和导电焊盘，以形成良好的欧姆接触，降低电压，同时能提高电极的牢固性，以提升半导体发光器件的寿命。

进一步地，还包括层叠于所述基板第二表面上的光学膜层，所述光学膜层包括多个交替层叠的第一反射子层以及第二反射子层，且所述第一反射子层的折射率小于第二反射子层的折射率。

进一步地，所述光学膜层包括奇数个子层，其第一个子层和最后一个子层均为第一反射子层，所述第一反射子层的材料为二氧化硅，所述第二反射子层的材料为五氧化三钛。