[实用新型]一种镀膜吸气结构及真空封装结构、MEMS器件有效
| 申请号： | 202221378430.3 | 申请日： | 2022-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN217555811U | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 尤超 | 申请（专利权）人： | 江苏鼎茂半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 盛智勇 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 镀膜 吸气 结构 真空 封装 mems 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种镀膜吸气结构，其特征在于：包括衬底，所述衬底具有凸起模块，所述凸起模块包括多个大小不一且依次环套的环形凸起，所述环形凸起表面及未设有环形凸起的所述衬底表面上均覆盖有吸气剂层。
2.根据权利要求1所述的镀膜吸气结构，其特征在于：所述环形凸起连通至所述衬底表面。
3.根据权利要求1所述的镀膜吸气结构，其特征在于：所述凸起模块沿所述衬底阵列分布。
4.根据权利要求1所述的镀膜吸气结构，其特征在于：未设有所述环形凸起的所述衬底表面设有多孔结构，所述吸气剂层沉积于所述多孔结构中。
5.根据权利要求4所述的镀膜吸气结构，其特征在于：未设有所述环形凸起的所述衬底通过蚀刻形成所述多孔结构，所述凸起模块通过一整个所述凸起模块蚀刻形成所述环形凸起。
6.根据权利要求1所述的镀膜吸气结构，其特征在于：所述吸气剂层的厚度为微米级。
7.一种真空封装结构，其特征在于：包括如权利要求1-6任意一项所述的镀膜吸气结构。
8.一种MEMS器件，其特征在于：包括如权利要求1-6任意一项所述的镀膜吸气结构。
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