[实用新型]一种镀膜吸气结构及真空封装结构、MEMS器件有效

专利信息
申请号: 202221378430.3 申请日: 2022-06-02
公开(公告)号: CN217555811U 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 尤超 申请(专利权)人: 江苏鼎茂半导体有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81B7/00
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 盛智勇
地址: 215000 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 镀膜 吸气 结构 真空 封装 mems 器件
【说明书】:

实用新型涉及一种镀膜吸气结构及真空封装结构、MEMS器件,包括衬底,所述衬底上具有凸起模块,所述凸起模块包括多个大小不一且依次环套的环形凸起,所述环形凸起表面及未设有环形凸起的所述衬底表面上均覆盖有吸气剂层。本实用新型极大的增大了吸气剂层的覆盖面积,提升了吸气剂层的吸气能力,使得真空封装结构、MEMS器件等维持真空度变得更久。

技术领域

本实用新型涉及真空电子器件的技术领域,尤其是指一种镀膜吸气结构及真空封装结构、MEMS器件。

背景技术

目前,在真空电子器件领域中,随着电子器件越来越轻量化,对真空MEMS器件性能及寿命要求越来越高,如何低成本有效的长时间维持真空器件的真空度、提高真空器件的性能及寿命成为一项技术难题。

为了维持MEMS器件内部真空度,最常见方法是在MEMS器件内部镀一层薄膜吸气剂,用吸气剂层将MEMS器件内部残余气体不断吸收。但在吸气剂层吸气能力类似的前提下,吸气剂层表面积越大,吸气性能越强,维持真空度就越久,一般在MEMS器件的腔体内部制备凸点和凹槽的垂直立体三维结构来增大吸气剂层的淀积面积,此方法确实可增大薄膜吸气剂层沉积面积,但是增大的面积有限。

实用新型内容

为此,本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术中在MEMS器件的腔体内部制备凸点和凹槽的垂直立体三维结构来增大吸气剂层的淀积面积,此方法确实可增大薄膜吸气剂层沉积面积,但是增大的面积有限的缺陷。

为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种镀膜吸气结构,包括衬底,所述衬底上具有凸起模块,所述凸起模块包括多个大小不一且依次环套的环形凸起,所述环形凸起表面及未设有环形凸起的所述衬底表面上均覆盖有吸气剂层。

在本实用新型的一个实施例中,所述环形凸起连通至所述衬底表面。

在本实用新型的一个实施例中,所述凸起模块沿所述衬底阵列分布。

在本实用新型的一个实施例中,未设有所述环形凸起的所述衬底表面设有多孔结构,所述吸气剂层沉积于所述多孔结构中。

在本实用新型的一个实施例中,未设有所述环形凸起的所述衬底通过蚀刻形成所述多孔结构,所述凸起模块通过一整个所述凸起模块蚀刻形成所述环形凸起。

在本实用新型的一个实施例中,所述吸气剂层的厚度为微米级。

一种真空封装结构,包括如上述实施例中任一项所述的镀膜吸气结构。

一种MEMS器件,包括如上述实施例中任一项所述的镀膜吸气结构。

本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:

本实用新型所述的镀膜吸气结构及真空封装结构、MEMS器件,衬底上具有凸起模块,凸起模块包括多个大小不一且依次环套的环形凸起,在环形凸起表面上和未设有环形凸起的衬底表面上均覆盖有吸气剂层,多个环形凸起极大的增大了吸气剂的覆盖面积,提升了吸气剂的吸气能力,使得真空封装结构、MEMS器件等维持真空度变得更久。

附图说明

为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解,下面根据本实用新型的具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中

图1是本实用新型镀膜吸气结构的结构示意图;

图2为图1所示的镀膜吸气结构中的环形凸起的局部图;

说明书附图标记说明:1、衬底;2、凸起模块;21、环形凸起;3、吸气剂层;4、多孔结构。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好地理解本实用新型并能予以实施,但所举实施例不作为对本实用新型的限定。

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