[实用新型]一种关键尺寸测试条结构

说明书

本实用新型提出一种关键尺寸测试条结构，包括：多个密集图案，相邻的密集图案之间具有第一间隙，多个密集图案形成有图形密集测试区；多个稀疏图案，设置在图形密集测试区的一侧，且稀疏图案和密集图案之间具有第二间隙，稀疏图案形成有图形稀疏测试区；多个辅助图案，设置在图形密集测试区的侧部，且辅助图案和密集图案之间、辅助图案和稀疏图案之间具有第三间隙，第一间隙、第二间隙和第三间隙形成有图形间隙测试区；其中，辅助图案包括至少一个拐角图形，且拐角图形形成有图形角度测试区。本实用新型提出的关键尺寸测试条结构，提高了样品检测的安全性和操作性。

技术领域

本实用新型涉及关键尺寸测量技术领域，特别涉及一种关键尺寸测试条结构。

背景技术

随着集成电路特征尺寸的缩小，在制程上对关键尺寸轮廓的检测提出了更高的要求。在半导体制造工艺中，通常使用扫描电子显微镜来量测不同膜层的关键尺寸，以保证关键尺寸符合要求，提高产品的良率和可靠性。关键尺寸扫描电子显微镜(Critical-Dimension Scan Electronic Microscope，CD-SEM)将电子束照射晶圆，通过将检测出的二次电子转换为模拟器亮度，以获取检测影像。但是，多次使用扫描电子显微镜检测具有破坏性，可能会导致热敏感图形的收缩，从而影响图案曝光。

因此，如何避免多次检测可能对待测件所产生的破坏，并在复杂环境下提高样品检测的安全性和操作性已经成为亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型提出一种关键尺寸测试条结构，可以避免多次检测可能对待测件所产生的破坏，并在复杂环境下提高样品检测的安全性和操作性。

为实现上述目的及其他目的，本实用新型提出一种关键尺寸测试条结构，包括：

多个密集图案，相邻的所述密集图案之间具有第一间隙，多个所述密集图案形成有图形密集测试区；

多个稀疏图案，设置在所述图形密集测试区的一侧，且所述稀疏图案和所述密集图案之间具有第二间隙，所述稀疏图案形成有图形稀疏测试区；

多个辅助图案，设置在所述图形密集测试区的侧部，且所述辅助图案和所述密集图案之间、所述辅助图案和所述稀疏图案之间具有第三间隙，所述第一间隙、所述第二间隙和所述第三间隙形成有图形间隙测试区；

其中，所述辅助图案包括至少一个拐角图形，且所述拐角图形形成有图形角度测试区。

在本实用新型一实施例中，所述密集图案为条形，且多个所述密集图案呈线性阵列排布。

在本实用新型一实施例中，所述第一间隙设置于相邻的所述密集图案的侧边线之间。

在本实用新型一实施例中，所述稀疏图案为条形，且所述稀疏图案的一端与所述辅助图案的端部相邻近。

在本实用新型一实施例中，所述第二间隙设置于所述稀疏图案的端部和所述密集图案的端部之间。

在本实用新型一实施例中，所述辅助图案为凹槽状，且所述辅助图案包括凹部。

在本实用新型一实施例中，所述密集图案沿水平方向的投影位于所述凹部内。

在本实用新型一实施例中，所述第三间隙设置于所述辅助图案的端部和所述稀疏图案的侧边线之间，以及所述凹部的边线和所述密集图案的端部之间。

在本实用新型一实施例中，所述辅助图案有2个，且2个所述辅助图案对称设置于所述图形密集测试区的两侧。

在本实用新型一实施例中，所述图形密集测试区的图形数量多于所述图形稀疏测试区。