[实用新型]一种限制LED发光角度的LED芯片

权利要求书

1.一种限制LED发光角度的LED芯片，其特征在于，包括发光外延层、所述发光外延层向外延伸出的连接层以及所述连接层向远离所述发光外延层一侧延伸出的蓝宝石衬底，所述发光外延层包括从所述连接层远离所述蓝宝石衬底一侧依次层叠的GaP层、P型层、有源层、N型层以及接触层，所述蓝宝石衬底远离所述连接层的一侧层叠有遮光层，所述遮光层用于对所述发光外延层中发出的发射光透过所述蓝宝石衬底后进行部分遮挡，其中，所述遮光层环绕所述蓝宝石衬底边缘设置。

2.根据权利要求1所述的限制LED发光角度的LED芯片，其特征在于，所述遮光层远离所述蓝宝石衬底的一侧层叠有钝化层，所述钝化层用于将所述遮光层进行覆盖。

3.根据权利要求2所述的限制LED发光角度的LED芯片，其特征在于，所述发光外延层远离所述连接层的一侧层叠有反射镜层。

4.根据权利要求3所述的限制LED发光角度的LED芯片，其特征在于，在所述P型层上远离所述蓝宝石衬底一侧依次层叠P型衬垫和P电极，在所述N型层上远离所述蓝宝石衬底一侧依次层叠所述接触层、N型衬垫以及N电极，所述P电极和所述N电极用于给所述有源层加入电源，以使所述有源层发光。

5.根据权利要求1所述的限制LED发光角度的LED芯片，其特征在于，所述遮光层为Au层、Ag层或TiO₂/SiO₂复合层的任一一种。

6.根据权利要求2所述的限制LED发光角度的LED芯片，其特征在于，所述钝化层为SiO₂层或SiN_x层的任一一种。

7.根据权利要求1所述的限制LED发光角度的LED芯片，其特征在于，所述连接层为SiO₂层。

8.根据权利要求5所述的限制LED发光角度的LED芯片，其特征在于，当所述遮光层为所述TiO₂/SiO₂复合层时，单层TiO₂/SiO₂的厚度为所述发射光中心波长的四分之一。

9.根据权利要求1所述的限制LED发光角度的LED芯片，其特征在于，所述遮光层还可以为绝缘填充物。

10.根据权利要求9所述的限制LED发光角度的LED芯片，其特征在于，所述绝缘填充物为环氧树脂或有机硅树脂的任一一种。