[实用新型]一种限制LED发光角度的LED芯片

说明书

本实用新型提供一种限制LED发光角度的LED芯片，包括发光外延层、发光外延层向外延伸出的连接层以及连接层向远离发光外延层一侧延伸出的蓝宝石衬底，发光外延层包括从连接层远离蓝宝石衬底一侧依次层叠的GaP层、P型层、有源层、N型层以及接触层，蓝宝石衬底远离连接层的一侧层叠有遮光层，遮光层用于对发光外延层中发出的发射光透过蓝宝石衬底后进行部分遮挡，其中，遮光层环绕蓝宝石衬底边缘设置，通过遮光层对发射光的遮挡，使得发光角度变小，那么，当LED芯片小间距排布时，LED芯片出光重合的部分减小，从而有效改善亮度存在色差的问题。

技术领域

本实用新型涉及LED技术领域，特别涉及一种限制LED发光角度的LED芯片。

背景技术

发光二极管作为一种半导体发光器件，其发光原理是P区空穴和N区电子复合释放光子，直接将电能转化为光能，它集材料环保，寿命长，发光效率高的优点于一体，在照明光源市场规模逐年增加，未来将逐步取代白炽灯等能耗高的光源。

近年来LED显示行业正在进行一番技术革新，LED显示屏间距越来越小，逐步进入微间距时代，Mini/Micro LED显示市场进入爆发期。目前芯片出光角度基本在120°左右，小间距的排布会使两颗芯片出光有部分重合，导致亮度存在色差。

实用新型内容

基于此，本实用新型的目的是提供一种限制LED发光角度的LED芯片，旨在解决现有技术中，LED芯片小间距排布时，LED芯片出光存在部分重合，导致亮度存在色差的问题。

根据本实用新型实施例当中的一种限制LED发光角度的LED芯片，包括发光外延层、所述发光外延层向外延伸出的连接层以及所述连接层向远离所述发光外延层一侧延伸出的蓝宝石衬底，所述发光外延层包括从所述连接层远离所述蓝宝石衬底一侧依次层叠的GaP层、P型层、有源层、N型层以及接触层，所述蓝宝石衬底远离所述连接层的一侧层叠有遮光层，所述遮光层用于对所述发光外延层中发出的发射光透过所述蓝宝石衬底后进行部分遮挡，其中，所述遮光层环绕所述蓝宝石衬底边缘设置。

通过上述LED芯片中的遮光层环绕蓝宝石衬底边缘设置，当发光外延层发出发射光时，发射光透过蓝宝石衬底后，遮光层会对发射光进行部分遮挡，遮挡后的发射光较未遮挡而言，发光角度被限制，使得LED芯片小间距排布时，LED芯片出光重合的部分减小，从而有效改善亮度存在色差的问题。

进一步的，所述遮光层远离所述蓝宝石衬底的一侧层叠有钝化层，所述钝化层用于将所述遮光层进行覆盖。

进一步的，所述发光外延层远离所述连接层的一侧层叠有反射镜层。

进一步的，所述发光外延层包括从所述连接层远离所述蓝宝石衬底一侧依次层叠的GaP层、P型层、有源层、N型层以及接触层，其中，在所述P型层上远离所述蓝宝石衬底一侧依次层叠P型衬垫和P电极，在所述N型层上远离所述蓝宝石衬底一侧依次层叠所述接触层、N型衬垫以及N电极，所述P电极和所述N电极用于给所述有源层加入电源，以使所述有源层发光。

进一步的，所述遮光层为Au层、Ag层或TiO₂/SiO₂复合层的任一一种。

进一步的，所述钝化层为SiO₂层或SiN_x层的任一一种。

进一步的，所述连接层为SiO₂层。

进一步的，当所述遮光层为所述TiO₂/SiO₂复合层时，单层TiO₂/SiO₂的厚度为所述发射光中心波长的四分之一。

进一步的，所述遮光层还可以为绝缘填充物。

进一步的，所述绝缘填充物为环氧树脂或有机硅树脂的任一一种。

附图说明