[实用新型]一种匀胶环结构

说明书

本实用新型涉及匀胶技术领域，特别涉及一种匀胶环结构，包括嵌设在匀胶机的匀胶端的圆形开口处的环体，环体包括第一圆环、第二圆环和第三圆环，第一圆环和第二圆环均匀胶机的匀胶端的圆形开口内，第三圆环位于匀胶机的匀胶端的圆形开口的外部，第三圆环用于稳定固定在匀胶机的匀胶端上，第二圆环用于减小匀胶机的匀胶端的开孔面积，第一圆环能够防止真空吸盘甩开的胶液溅出，通过减小开放空间可降低溶剂挥发速度使整个晶圆片表面上光刻胶的粘度保持相对一致从而达到较均匀稳定的膜厚。

技术领域

本实用新型涉及匀胶技术领域，特别涉及一种匀胶环结构。

背景技术

芯片制造主要是在晶圆片上不断累加图案让其达到纵向连接的过程。光刻是不同图案累加的基础，因此光刻的作用至关重要。匀胶是光刻工艺的基本步骤之一，指晶圆片要采用涂胶的方法涂上液相光刻胶以达到后制程要求的相应膜厚步骤。膜厚决定根据后续工序作用，如：腐蚀、刻蚀、蒸镀等。膜厚的决定因素由光刻胶粘度(即溶剂挥发性)、匀胶机转速、排风大小及环境温湿度等多种因素相互制约。一个典型的匀胶过程包括滴胶、高速旋转、去边及干燥。因大规模生产作业需稳定，因此稳定的均匀的膜厚至关重要。

目前匀胶机的匀胶端为直径17.4厘米圆形开口，中间内置硅片真空吸盘装置、储胶槽体、排风系统及背洗装置。此开孔较大影响排风抽吸效果并受环境制约因素较大，匀胶步骤受排风等环境因素制约导致影响匀胶膜厚稳定性。而膜厚在很大程度上是作用于液体光刻胶上、方向朝基片边缘的剪刀力与影响光刻胶粘度的溶剂挥发速率之间平衡的结果。

实用新型内容

为了克服上述现有技术的缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种匀胶环结构，能够改善匀胶膜厚稳定性。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种匀胶环结构，包括嵌设在匀胶机的匀胶端的圆形开口处的环体，所述环体包括第一圆环、第二圆环和第三圆环，所述第二圆环位于第一圆环和第三圆环之间且分别与第一圆环和第三圆环连接，所述第一圆环的外径小于第二圆环的外径，所述第二圆环的外径小于第三圆环的外径，所述第一圆环、第二圆环和第三圆环的内径均相等，所述第二圆环的外径与匀胶机的匀胶端的圆形开口的直径相等，所述第一圆环和第二圆环均匀胶机的匀胶端的圆形开口内，所述第三圆环位于匀胶机的匀胶端的圆形开口的外部。

进一步的，所述第一圆环的高度范围为0.25cm-0.35cm，所述第二圆环的高度范围为1.4cm-1.6cm，所述第三圆环的高度范围为0.15cm-0.25cm。

进一步的，所述第一圆环、第二圆环和第三圆环的材质均为特氟龙。

进一步的，所述第一圆环的外径为13cm-14cm，所述第二圆环的外径为 17cm-18cm，所述第三圆环的外径为18cm-20cm。

进一步的，所述第一圆环、第二圆环和第三圆环一体成型。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型通过设置第一圆环、第二圆环和第三圆环，第一圆环和第二圆环均匀胶机的匀胶端的圆形开口内，第三圆环位于匀胶机的匀胶端的圆形开口的外部，第三圆环用于稳定固定在匀胶机的匀胶端上，第二圆环用于减小匀胶机的匀胶端的开孔面积，第一圆环能够防止真空吸盘甩开的胶液溅出；由于降低温湿度对溶剂挥发速度影响，匀胶时，在光刻胶高速旋转被甩向基片边缘的同时，光刻胶内溶剂不断挥发而得以干燥，这样会造成光刻胶膜厚按胶口吐液圆心沿径向膜厚不均匀，因为光刻胶的粘度随基片中心到边缘的距离发生挥发而发生了变化，因此本方案通过减小开放空间可降低溶剂挥发速度使整个晶圆片表面上光刻胶的粘度保持相对一致从而达到较均匀稳定的膜厚，并同时确保匀胶机匀胶时外延片可正常旋转涂布、背洗可不影响其他装置情况下清除Wafer 背面/侧面甩出残留光刻胶颗粒；本方案设计的匀胶环与外设的匀胶机的匀胶端的圆形开口及内置硅片真空吸盘装置搭配可减小开放空间和减小空气随机湍流，进而达到较均匀稳定的膜厚。

附图说明