[实用新型]一种MEMS压力传感器有效
申请号: | 202221843271.X | 申请日: | 2022-07-18 |
公开(公告)号: | CN217687660U | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 赵旭;孙健;倪杰;刘萌 | 申请(专利权)人: | 山东沃迪科微电子有限公司 |
主分类号: | G01L19/00 | 分类号: | G01L19/00;B81B7/02 |
代理公司: | 济南格源知识产权代理有限公司 37306 | 代理人: | 刘晓政 |
地址: | 250000 山东省济南市历城区中国(山东)自*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mems 压力传感器 | ||
1.一种MEMS压力传感器,包括ASIC芯片(2)、MEMS芯片(3)、PCB板(1),其特征是:所述ASIC芯片(2)通过胶水层(5)粘帖固定在PCB板(1)上,MEMS芯片(3)通过胶水层(5)粘帖固定在ASIC芯片(2)上,所述MEMS芯片(3)通过右金线(6)与ASIC芯片(2)连接,ASIC芯片(2)与PCB板(1)通过左金线(9)连接,在PCB板(1)上设置围坝(4),围坝(4)的顶部设置顶盖(7),在顶盖(7)上设置泄气孔(8),PCB板(1)、围坝(4)、顶盖(7)形成空腔,ASIC芯片(2)、MEMS芯片(3)均设置在空腔中。
2.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器,其特征是:
在ASIC芯片(2)上设置焊盘,在PCB板(1)设置焊盘,左金线(9)连接ASIC芯片焊盘(10)和PCB板焊盘(11)实现ASIC芯片(2)与PCB板(1)的连接,围坝(4)的左侧包裹ASIC芯片焊盘(10)、PCB板焊盘(11)和左金线(9)。
3.根据权利要求1或2所述的MEMS压力传感器,其特征是:
在围坝(4)的右侧内部设置凸台(12),凸台(12)的左端与ASIC芯片(2)固定,且凸台(12)与ASIC芯片(2)高度相同或者低于ASIC芯片(2)。
4.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器,其特征是:
MEMS芯片(3)与ASIC芯片(2)之间的胶水层(5)厚度为0.01mm-0.5mm,且MEMS芯片(3)四角下方的胶水层(5)厚度尺寸差值△H≤0-50μm。
5.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器,其特征是:
ASIC芯片(2)和PCB板(1)之间胶水层(5)超过ASIC芯片(2)底部尺寸的长度为L1,0≤L1≤100μm。
6.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器,其特征是:
所述的围坝(4)为环氧树脂围坝或塑料围坝,所述顶盖(7)为金属顶盖或塑料顶盖或陶瓷顶盖。
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