[实用新型]一种应用于SWDM光模块的片内集成式多波长激光器

权利要求书

1.一种应用于SWDM光模块的片内集成式多波长激光器，其特征在于：包括衬底以及由下自上堆叠于衬底表面的第一VCSEL单元、第二VCSEL单元、第三VCSEL单元和第四VCSEL单元；第一VCSEL单元的中心波长为940nm，第二VCSEL单元的中心波长为910nm；第三VCSEL单元的中心波长为880nm，第四VCSEL单元的中心波长为850nm。

2.如权利要求1所述的一种应用于SWDM光模块的片内集成式多波长激光器，其特征在于：所述第一VCSEL单元由下自上包括第一底部N型DBR、940nm有源区、第一掩埋隧穿结和第一顶部N型DBR；所述第二VCSEL单元由下自上包括第二底部N型DBR、910nm有源区、第二掩埋隧穿结和第二顶部N型DBR；所述第三VCSEL单元由下自上包括第三底部N型DBR、880nm有源区、第三掩埋隧穿结和第三顶部N型DBR；所述第四VCSEL单元由下自上包括第四底部N型DBR、850nm有源区、第四掩埋隧穿结和第四顶部N型DBR。

3.如权利要求2所述的一种应用于SWDM光模块的片内集成式多波长激光器，其特征在于：所述第一底部N型DBR、第一顶部N型DBR、第二底部N型DBR、第二顶部N型DBR、第三底部N型DBR、第三顶部N型DBR、第四底部N型DBR和第四顶部N型DBR均是由高折射率薄膜和低折射率薄膜交替构成的周期结构，且周期数由下至上逐渐减小。

4.如权利要求2所述的一种应用于SWDM光模块的片内集成式多波长激光器，其特征在于：所述第一掩埋隧穿结至第四掩埋隧穿结的直径均相等，取值范围为5-150μm。

5.如权利要求1所述的一种应用于SWDM光模块的片内集成式多波长激光器，其特征在于：所述衬底底部设有第一N型金属电极，所述第四VCSEL单元顶部设有第二N型金属电极。

6.如权利要求5所述的一种应用于SWDM光模块的片内集成式多波长激光器，其特征在于：所述第一VCSEL单元顶部设有第一共用电极，所述第二VCSEL单元顶部设有第二共用电极，第三VCSEL单元顶部设有第三共用电极；所述第一共用电极、第二共用电极和第三共用电极均包括下层VCSEL单元的正电极和上层VCSEL单元的负电极。

7.如权利要求1所述的一种应用于SWDM光模块的片内集成式多波长激光器，其特征在于：所述衬底为GaAs衬底。