[实用新型]一种高稳定性氧化物TFT结构

权利要求书

1.一种高稳定性氧化物TFT结构，其特征在于：所述氧化物TFT结构包括基板；

所述基板上设有第一金属层，所述第一金属层包括栅极和栅极驱动线；

所述第一金属层之上设置有第一绝缘层；

所述第一绝缘层之上设置有有源层，所述有源层与栅极相对应；

所述有源层之上设置有第二金属层，所述第二金属层包括源极、漏极以及数据信号线，所述源极包括相互连接的第一中间导电层和源极金属层，所述漏极包括相互连接第二中间导电层和漏极金属层；所述第一中间导电层和第二中间导电层分别与有源层的两端相连接；所述源极金属层通过所述第一中间导电层与有源层的一端连接，所述漏极金属层通过第二中间导电层与所述有源层的另一端连接；所述源极金属层和所述漏极金属层属于同一金属层，所述第一中间导电层和第二中间导电层属于同一金属层；

所述第一中间导电层和第二中间导电层相邻端的间距为TFT沟道长度；所述第一中间导电层和第二中间导电层相邻端的间距，小于所述源极金属层和所述漏极金属层相邻端的间距；

所述第一中间导电层、第二中间导电层的厚度，小于所述源极金属层、所述漏极金属层的厚度；

所述第二金属层之上设置有第二绝缘层。

2.根据权利要求1所述的一种高稳定性氧化物TFT结构，其特征在于：所述源极金属层和所述漏极金属层在垂直于基板方向上的投影区域，与所述有源层对应端在垂直于基板方向上的投影区域的交叠处的宽度小于等于1um或完全不交叠。

3.根据权利要求1所述的一种高稳定性氧化物TFT结构，其特征在于：所述源极金属层和所述漏极金属层在垂直于基板方向上的投影区域，与所述栅极对应端垂直于基板方向上的投影区域，完全不交叠。

4.根据权利要求1所述的一种高稳定性氧化物TFT结构，其特征在于：所述源极金属层和所述漏极金属层所在的金属层厚度为所述第一中间导电层、第二中间导电层的厚度在5nm～200nm之间。

5.根据权利要求1所述的一种高稳定性氧化物TFT结构，其特征在于：所述第一中间导电层位于所述源极金属层靠近基板一侧的下方；所述第二中间导电层位于所述漏极金属层靠近基本一侧的下方。

6.根据权利要求1所述的一种高稳定性氧化物TFT结构，其特征在于：所述数据信号线的材质与所述源极金属层和所述漏极金属层相同。

7.根据权利要求1所述的一种高稳定性氧化物TFT结构，其特征在于：所述第一中间导电层和所述第二中间导电层的材质为单质Mo、Ti、Nb、W、Ni、Ta、Ag，或上述金属Mo、Ti、Nb、W、Ni、Ta、Ag的合金材料；或选用氧化物导电材料。

8.根据权利要求7所述的一种高稳定性氧化物TFT结构，其特征在于：所述氧化物导电材料为氧化铟锡(ITO，In₂O₃：Sn)、掺铝的氧化锌(AZO，ZnO：Al)、掺氟的氧化锡(FTO，SnO₂：F)以及掺锑的氧化锡(ATO，Sn₂O：Sb)。

9.根据权利要求1所述的一种高稳定性氧化物TFT结构，其特征在于：所述有源层为金属氧化物半导体材料。

10.根据权利要求1所述的一种高稳定性氧化物TFT结构，其特征在于：所述源极金属层、所述漏极金属层与所述第一中间导电层、第二中间导电层所从属的两个金属层，可以分别通过两道光罩制得或者同时利用一道灰阶光罩制得。