[实用新型]一种硅外延设备的石英安装总成

说明书

本实用新型提供了一种硅外延设备的石英安装总成，属于石英加工设备技术领域，包括基座环金属法兰以及上法兰，基座环金属法兰的内孔具有适于承托石英的承托台，上法兰的内孔具有凸台；承托台和凸台上均设有适于与石英接触的密封圈；石英安装总成还包括定位环和定位结构；定位环适于设在基座环金属法兰的内孔中；定位环上具有适于搭接在基座环金属法兰顶部的提拉部；定位结构的两端分别适于与基座环金属法兰和上法兰连接，以定位基座环金属法兰和上法兰之间的位置；通过定位环能够定位石英在基座环金属法兰上的安装位置，减少出现石英部分外周壁与基座环金属法兰内孔周壁接触的情况；能够减少出现石英因热应力不均而出现损坏的情况。

技术领域

本实用新型属于硅外延加工设备技术领域，具体涉及一种硅外延设备的石英安装总成。

背景技术

硅外延是指在单晶硅衬底上沉积一层单晶硅的化学气相沉积工艺，为了改变外延层的导电特性，外延层可能的掺杂源包括AsH3、B2H6或PH3等。上述工艺需要对石英进行加热，在对石英进行上述工艺之前，需要先将石英安放到硅外延设备腔室内；现有技术中，硅外延设备腔室包括用于安装石英的安装结构，安装结构包括基座环金属法兰和上法兰，基座环金属法兰内具有适于承托石英的承托台，承托台上具有适于与石英下表面接触的第一密封圈；上法兰上具有适于与石英上表面接触的第二密封圈；基座环金属法兰的内孔直径与上法兰的内孔直径均大于石英的直径。在安装石英时，先将石英放置到基座环金属法兰的承托台上的第一密封圈上，然后将上法兰固定在基座环法兰上，并使第二密封圈与石英接触。

由于基座环金属法兰的内孔直径大于石英的直径，因此在安装石英过程中，会存在石英的部分外周壁与基座环金属法兰的内孔周壁接触的情况；并且在加工过程中，由于石英和基座环金属法兰导热性能不同，石英会因热应力不均而出现损坏的情况。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种硅外延设备的石英安装总成，旨在解决现有技术中在安装石英时会使石英的部分外周壁与基座环金属法兰接触、进而在加工时容易使石英因热应力不均而出现损坏的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

提供一种硅外延设备的石英安装总成，包括基座环金属法兰以及上法兰，所述基座环金属法兰的内孔具有适于承托石英的承托台，所述上法兰的内孔具有凸台；所述承托台和所述凸台上均设有适于与石英接触的密封圈；石英安装总成还包括：

定位环，适于设在所述基座环金属法兰的内孔中；所述定位环的外周壁适于与所述基座环金属法兰的内孔周壁接触，所述定位环的内周壁适于与石英的外周壁接触；所述定位环上具有适于搭接在所述基座环金属法兰顶部的提拉部；以及

定位结构，两端分别适于与所述基座环金属法兰和所述上法兰连接，以定位所述基座环金属法兰和所述上法兰之间的位置；

其中，在石英位于所述基座环金属法兰的内孔时，所述定位结构适于使石英位于所述基座环金属法兰和所述上法兰之间的居中位置；且所述基座环金属法兰和所述上法兰之间形成适于所述定位环滑出所述基座环金属法兰的避让空间。

在一种可能的实现方式中，所述定位环的外周壁靠近其顶部的位置连接有支撑环，所述支撑环的下表面适于与所述基座环金属法兰的顶部接触；所述提拉部设在所述支撑环的上表面。

在一种可能的实现方式中，所述定位结构包括：

两个第一定位部，关于所述基座环金属法兰的轴线对称设在其外周壁上；两个所述第一定位部上均设有第一定位孔；

两个第二定位部，分别与两个所述第一定位部对应，且两个所述第二定位部均固定在所述上法兰的外周壁上；所述第二定位部上具有与所述第一定位孔对齐的第二定位孔；所述第二定位孔内设有内螺纹；

两个顶丝，与两个所述第一定位部一一对应；所述顶丝的一端适于转动设在所述第一定位孔内，所述顶丝适于与所述第二定位孔螺纹配合。