[实用新型]一种用于硅片沉积氧化膜的载盘有效
| 申请号： | 202222847373.5 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN218471913U | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 吴泓明;钟佑生;黄郁璿;张理想 | 申请（专利权）人： | 郑州合晶硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京动力号知识产权代理有限公司 11775 | 代理人： | 张盼 |
| 地址： | 451162 河南省郑州市郑州航空*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅片 沉积 氧化 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于硅片沉积氧化膜的载盘，包括基座，所述基座内设有硅片放置凹槽，其特征在于，
所述硅片放置凹槽的内径略大于硅片的直径；所述硅片放置凹槽的底部和侧壁的粗糙度为Ra 2.0～2.5um，所述载盘材质为无涂层的硅材料。
2.如权利要求1所述的用于硅片沉积氧化膜的载盘，其特征在于，
所述硅片放置凹槽的内径大于硅片的直径2～4mm。
3.如权利要求1所述的用于硅片沉积氧化膜的载盘，其特征在于，
所述硅片放置凹槽的底部设有多个定位槽。
4.如权利要求1所述的用于硅片沉积氧化膜的载盘，其特征在于，
所述硅材料为碳化硅、多晶硅或氮化硅材料。
5.如权利要求1所述的用于硅片沉积氧化膜的载盘，其特征在于，
所述硅片放置凹槽的底部设有多个环形阵列分布的导热槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
