[实用新型]一种用于硅片沉积氧化膜的载盘

说明书

本实用新型公开了一种用于硅片沉积氧化膜的载盘，包括基座，所述基座内设有硅片放置凹槽，所述硅片放置凹槽的内径略大于硅片的直径；所述硅片放置凹槽的底部和侧壁的粗糙度为Ra2.0～2.5um，所述载盘材质为无涂层的硅材料。本申请提供的载盘，可有效改善硅片在背面沉积过程中与载盘发生碰撞和载盘涂层脱落的问题，有效提高了硅片良品率。

技术领域

本实用新型属于半导体硅晶片制造技术领域，具体涉及一种用于硅片沉积氧化膜的载盘。

背景技术

目前，随着集成电路行业的蓬勃发展，IC厂对晶圆的需求量逐步增加，随着功率器件的市场需求旺盛，重掺硅片出现了供不应求的情况，产能扩张、良率提升成为各大晶圆厂的共同目标。

重掺硅片由于掺杂浓度过高，因此在后续热制程中形成的内吸杂效果相对较弱，无法满足器件制程过程中对杂质捕获的控制。现有硅片背面处理技术主要是以氧化层封住硅片背面，避免因后续高温制程外延生长过程中，产生自掺杂/金属污染等影响硅片电性能。

由于重掺硅片背面氧化层沉积工艺采用气相沉积的方式，硅片传送一般采用皮带式或载盘式，其中载盘的材质耐高温的SiC，晶片表面薄膜生长所需要的反应温度一般通过载盘与硅片间热传导来提供，从而较好的实现硅片背面温度的均匀性，但重掺硅片背面氧化层沉积过程中由于晶片随载盘在运动，晶片容易与载盘发生碰撞，导致崩边情况，造成晶片报废，另一方面现用的载盘表面有SiC涂层(coating)，在高温长时间作用下，涂层易发生脱落情况，影响到膜层的外观和均匀性。因此，重掺硅片在背面沉积过程中如何降低晶片发生崩边及如何降低载盘涂层发生脱落状况是目前亟需解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为解决现有技术的不足而提供一种用于硅片沉积氧化膜的载盘。

本实用新型的目的是以下述技术方案实现的：

一种用于硅片沉积氧化膜的载盘，包括基座，所述基座内设有硅片放置凹槽，

所述硅片放置凹槽的内径略大于硅片的直径；所述硅片放置凹槽的底部和侧壁的粗糙度为Ra 2.0～2.5um，所述载盘材质为无涂层的硅材料。

优选的，所述硅片放置凹槽的内径大于硅片的直径2～4mm。

优选的，所述硅片放置凹槽的底部设有多个定位槽。

优选的，所述硅材料为碳化硅、多晶硅或氮化硅材料。

优选的，所述硅片放置凹槽的底部设有多个环形阵列分布的导热槽。

本申请提供的载盘，可有效改善硅片在背面沉积过程中与载盘发生碰撞和载盘涂层脱落的问题，有效提高了硅片良品率。

附图说明

图1是本实用新型提供的载盘的结构示意图；

图2是本实用新型提供的优选实施例的载盘的结构示意图；

其中，1-基座；2-硅片放置凹槽；3-定位槽；4-导热槽。

具体实施方式

本实用新型提供了一种用于硅片沉积氧化膜的载盘，如图1所示，包括基座1，基座内设有硅片放置凹槽2，硅片放置凹槽2的内径略大于硅片的直径；硅片放置凹槽2的底部和侧壁的粗糙度为Ra2.0～2.5um，载盘材质为无涂层的硅材料。

本实用新型将硅片放置凹槽的直径设置为略大于硅片直径，既不妨碍放置硅片，同时可减少硅片与凹槽侧壁之间的距离，减少碰撞力度，可有效减少硅片崩边；另外，本申请载盘采用无涂层的硅材料，可以防止高温沉积过程中涂层脱落，涂层脱落会导致硅片放置以后会会有翘起状况，影响沉积薄膜的均匀性，而且本申请将硅片放置凹槽的粗糙度增大，可增大硅片与载盘之间的摩擦力，避免硅片滑动幅度过大，与凹槽壁发生撞击，进一步减少硅片崩边。