[实用新型]高密封电力半导体功率器件

权利要求书

1.高密封电力半导体功率器件，包括有上压板(1)、半导体芯片(2)、下底板(3)，所述半导体芯片(2)位于上压板(1)与下底板(3)之间，所述上压板(1)、半导体芯片(2)外设有白胶层(4)，其特征在于：所述白胶层(4)外侧设有密封套(5)，所述密封套(5)完全包裹白胶层(4)，将白胶层(4)与外界隔离。

2.根据权利要求1所述的高密封电力半导体功率器件，其特征在于：所述密封套(5)由环氧树脂制成。

3.根据权利要求1或2所述的高密封电力半导体功率器件，其特征在于：所述下底板(3)的边缘设有下固定缺口(31)，所述密封套(5)上设有下固定块(52)，所述下固定块(52)一一对应的嵌入下固定缺口(31)内。

4.根据权利要求3所述的高密封电力半导体功率器件，其特征在于：所述下固定缺口(31)的内侧大，外侧小。

5.根据权利要求3所述的高密封电力半导体功率器件，其特征在于：所述上压板(1)的直径小于下底板(3)的直径，所述密封套(5)上设有密封环(51)，所述密封环(51)包裹上压板(1)的侧边。

6.根据权利要求5所述的高密封电力半导体功率器件，其特征在于：所述密封环(51)、下固定块(52)与密封套(5)一体成型。