[实用新型]高密封电力半导体功率器件

说明书

本实用新型公开了一种高密封电力半导体功率器件。其技术要点是：上压板、半导体芯片、下底板，所述半导体芯片位于上压板与下底板之间，所述上压板、半导体芯片外设有白胶层，所述白胶层外侧设有密封套，本实用新型能够提高二极管芯片的密封效果，在后续使用高密封电力半导体功率器件制造电子模块时，不需要进行密封处理，提高封装效率。

技术领域

本实用新型涉及二极管、可控硅领域，更具体的说是涉及一种高密封电力半导体功率器件。

背景技术

电力半导体功率器件用在单、三相二极管整流桥，单、三相二极管整流模块，可控硅整流模块，可控硅二极管混合模块，超快恢复二极管整流模块。现有的电力半导体功率器件由上压板、半导体芯片、下底板组成，并在下底板与上压板之间涂抹白胶进行密封隔离。

然而白胶在固化后存在少量气孔，因此在电力半导体功率器件在安装后，需要对电力半导体功率器件进行密封处理，以保证电力半导体功率器件内部半导体芯片处于稳定的工作状态，提高成品的稳定性，以及使用寿命。然而将电力半导体功率器件焊接后再进行密封的操作不便，导致模块生产效率低。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种密封性能高的高密封电力半导体功率器件。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：高密封电力半导体功率器件，包括有上压板、半导体芯片、下底板，所述半导体芯片位于上压板与下底板之间，所述上压板、半导体芯片外设有白胶层，所述白胶层外侧设有密封套，所述密封套完全包裹白胶层，将白胶层与外界隔离。

作为本实用新型的进一步改进，所述密封套由环氧树脂制成。

作为本实用新型的进一步改进，所述下底板的边缘设有下固定缺口，所述密封套上设有下固定块，所述下固定块一一对应的嵌入下固定缺口内。

作为本实用新型的进一步改进，所述下固定缺口的内侧大，外侧小。

作为本实用新型的进一步改进，所述上压板的直径小于下底板的直径，所述密封套上设有密封环，所述密封环包裹上压板的侧边。

作为本实用新型的进一步改进，所述密封环、下固定块与密封套一体成型。

作为本实用新型的进一步改进，所述白胶层位于上压板与下底板之间，所述上压板的下侧边缘设有上定位槽，所述下底板的上侧边缘设有下定位槽，所述密封套内设有抵触环，所述抵触环位于上定位槽与下定位槽之间。

作为本实用新型的进一步改进，所述密封套上侧设有包裹环，所述包裹环包裹上压板外侧。

本实用新型的有益效果，电力半导体功率器件的密封效果好，在后续使用高密封电力半导体功率器件制造电子模块时，不需要进行密封处理，提高封装效率。

附图说明

图1为圆形二极管芯片的一种立体结构示意图；

图2为圆形可控硅芯片的俯视平面结构示意图；

图3为下底板的平面结构示意图；

图4为密封套的一种结构示意图；

图5为本实用新型理想状态下的的一种剖视结构示意图；

图6为本实用新型实际生产过中的另一种剖视结构示意图(白胶层在重力作用下，外侧面倾斜)；

图7为现有的二极管芯片的剖视结构示意图。

标记说明：1、上压板；2、半导体芯片；3、下底板；31、下固定缺口；4、白胶层；5、密封套；51、密封环；52、下固定块。

具体实施方式

下面将结合附图所给出的实施例对本实用新型做进一步的详述。