[发明专利]一种隔离度可调的超宽带大功率单刀双掷开关电路

权利要求书

1.一种隔离度可调的超宽带大功率单刀双掷开关电路，包括Port₁端口、微带线MILN₁、第一支路、第二支路、Port₂端口以及Port₃端口，其特征在于：

所述微带线MILN₁的一端连接Port₁端口，另一端分别经第一支路连接Port₂端口、经第二支路连接Port₃端口；

所述第一支路包括：微带线：MILN₂、MILN₃、MILN₄、MILN₅、MILN₆、MILN₇和MILN₈；晶体管：Q₁、Q₂、Q₃、Q₄、Q₅、Q₆和Q₇；上拉电阻：R_1-1、R_1-2、R_1-3、R_1-4、R_1-5、R_1-6和上拉电阻R₂；电阻R3；电容C₁；其中，微带线MILN₂的一端连接微带线MILN₁，另一端经依次串联微带线MILN₃、微带线MILN₄、微带线MILN₅、微带线MILN₆、微带线MILN₇、微带线MILN₈后与Port₂端口相连；晶体管Q₁的漏极连接微带线MILN₂的另一端，源极连接微带线MILN₃的一端，栅极连接电阻R1-1的一端；晶体管Q₂的漏极连接微带线MILN₃的另一端，源极连接微带线MILN₄的一端，栅极连接电阻R_1-2的一端；晶体管Q₃的漏极连接在微带线MILN₄与微带线MILN₅之间，源极接地，栅极连接电阻R_1-3的一端；晶体管Q₄的漏极连接在微带线MILN₅与微带线MILN₆之间，源极接地，栅极连接电阻R_1-3的一端；晶体管Q₅的漏极连接在微带线MILN₆与微带线MILN₇之间，源极接地，栅极连接电阻R_1-5的一端；晶体管Q₆的漏极连接在微带线MILN₇与微带线MILN₈之间，源极连接晶体管Q₇的漏极和电容C₁的一端，栅极连接电阻R_1-6的一端；晶体管Q₇的源极与电容C₁的另一端相连后接地；栅极经电阻R2接直流控制电源V_gc；电阻R_1-1、R_1-2的另一端相连后接直流电源V_g1，电阻R_1-3、R_1-4、R_1-5和R_1-6的另一端相连后接直流电源V_g2；电阻R3的一端连接微带线MILN₃的另一端和晶体管Q2的漏极，另一端连接微带线MILN₄的一端和晶体管Q2的源极；晶体管Q₇、电容C₁和电阻R2共同构成可重构枝节，通过调整可重构枝节中晶体管Q₇的控制电压，调节工作频段内隔离度；

所述第二支路与第一支路结构参数均相同，且与第一支路关于微带线MILN₁对称，第二支路的微带线MILN₈与Port₃端口相连。

2.根据权利要求1所述的一种隔离度可调的超宽带大功率单刀双掷开关电路，其特征在于：所述第一支路和第二支路均能够作为导通支路或隔离支路，当Vg1＝0V、Vg2＝-40V时，第一支路为导通之路，第二支路为隔离支路；Vg1＝-40V、Vg2＝0V时，第一支路为隔离支路，第二支路为导通支路。