[发明专利]荷正电纳滤膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202310056251.0 | 申请日： | 2023-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN116116220A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 杨翠平;朱筱滢;施瑞康;唐影华;陈铨;朱建东;徐永良 | 申请（专利权）人： | 宝武水务科技有限公司 |
| 主分类号： | B01D61/02 | 分类号： | B01D61/02;B01D67/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 黄一磊 |
| 地址： | 201999 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电纳 滤膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，包括：
分别配制活性胺水相溶液和活性酰氯有机相溶液，所述活性胺水相溶液与所述活性酰氯有机相溶液的质量浓度之比大于5；
将所述活性胺水相溶液倒在基膜表面，并在静置后倒掉多余的所述活性胺水相溶液；
将所述活性酰氯有机相溶液倒在所述基膜表面，并在静置后倒掉多余的所述活性酰氯有机相溶液。
2.如权利要求1所述的荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，在将所述活性胺水相溶液倒在所述基膜表面之前，所述荷正电纳滤膜的制备方法还包括：
将基膜的边缘固定在两个环形的夹具之间。
3.如权利要求1所述的荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，在倒掉多余的所述活性胺水相溶液之后且在将所述活性酰氯有机相溶液倒在所述基膜表面之前，所述荷正电纳滤膜的制备方法还包括：
使用压缩空气吹扫所述基膜表面，直至所述基膜表面无所述活性胺水相溶液的液滴。
4.如权利要求1所述的荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，在倒掉多余的所述活性酰氯有机相溶液之后，所述荷正电纳滤膜的制备方法还包括：
待残留的所述活性酰氯有机相溶液挥发后，用去离子水清洗所述基膜。
5.如权利要求1所述的荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，所述活性胺水相溶液的质量浓度为0.05％～1％，所述活性酰氯有机相溶液的质量浓度为0.01％～0.2％。
6.如权利要求1所述的荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，所述活性胺水相溶液中的活性胺包括哌嗪、间苯二胺和聚乙烯亚胺中的一种或至少两种的混合物。
7.如权利要求1所述的荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，所述活性酰氯有机相溶液中的活性酰氯包括均苯三甲酰氯、间苯二甲酰氯和对苯二甲酰氯中的一种或至少两种的混合物。
8.如权利要求1所述的荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，所述基膜的材料包括聚醚砜、聚砜和聚氯乙烯中的至少一种。
9.如权利要求1所述的荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，所述活性胺水相溶液在所述基膜表面静置的时间为0.2min～10min。
10.如权利要求1所述的荷正电纳滤膜的制备方法，其特征在于，所述活性酰氯有机相溶液在所述基膜表面静置的时间为0.2min～10min。
11.一种荷正电纳滤膜，其特征在于，包括：采用如权利要求1至10中任一项所述的荷正电纳滤膜的制备方法制备。
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