[发明专利]一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物

权利要求书

1.一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物，其特征在于：按重量百分比，包括0.1～3.0％氧化剂、0.01～1.0％碱金属添加剂、0.01～2.0％络合剂、0.1～2.0％第一缓蚀剂、0.2～2.0％第二缓蚀剂、0～5％磨料，其余为pH缓冲剂和去离子水；其中，所述第一缓蚀剂为苯并三唑类缓蚀剂，所述第二缓蚀剂为噻唑啉类缓蚀剂。

2.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于：所述氧化剂为高锰酸钾、过氧化氢、过硫酸钠、过硫酸氢钠、硫酸铵、过碳酸钾、过碳酸钠中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于：所述碱金属添加剂为油酸钾、钛酸钾、四硼酸钾中至少一种。

4.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于：所述络合剂为赖氨酸、聚赖氨酸、赖氨酸醋酸、赖氨酸醋酸盐、赖氨酸盐酸、赖氨酸盐酸盐中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于：所述苯并三唑类缓蚀剂为苯丙三氮唑、氯苯并三唑、羟基苯并三唑、羧基苯并三唑、氨基苯并三唑、1，2，4-三唑酮、2,2'-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]二乙醇中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于：所述噻唑啉类缓蚀剂为2-巯基噻唑啉、氨基噻唑啉、甲基噻唑啉、乙酰基噻唑啉、联苯并噻唑啉中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于：所述磨料为胶体二氧化硅、铝改性胶体二氧化硅、氧化铈、氧化铈/二氧化硅中的至少一种，粒径为20～100纳米。

8.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于：所述pH缓冲剂为氢氧化钾或硝酸，调节组合物pH值至2～6。

9.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于：所述掺杂合金的掺杂元素包括砷、镓、氧、氮、硅中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于：所述化学机械抛光组合物应用的基材还包括氮化硅或氧化硅。