[发明专利]一种具有联想记忆功能的忆阻仿生电路在审
申请号: | 202310089752.9 | 申请日: | 2023-01-16 |
公开(公告)号: | CN115985367A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 林弥;徐超;饶历;张贵鹏;周张志;王煜博 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00;G11C16/04;G06F30/367 |
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地址: | 310018 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 联想 记忆 功能 仿生 电路 | ||
1.一种具有联想记忆功能的忆阻仿生电路,其特征在于:包括:第一忆阻器M1、第二忆阻器M2、第一PMOS晶体管T1、第二PMOS晶体管T2、第一NMOS晶体管T3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一压控开关S1、第一与非门NAND、第一运算放大器OP1、第一比较器COMP1、模拟食物信号输入端Vfood、模拟铃声信号输入端Vring、第一定值电压V1、第二定值电压V2、第一比较电压Vth,
所述第一忆阻器M1的正端连接第一PMOS晶体管T1和第一NMOS晶体管T3的漏极,M1的负端连接第一压控开关S1的输出端;第二忆阻器M2的正端连接第二PMOS晶体管T2的漏极,负端连接第一PMOS晶体管T1的源极和第三电阻R3的一端;
所述第一PMOS晶体管T1、第二PMOS晶体管T2、第一NMOS晶体管T3的栅极以及第一压控开关S1的控制端都接在第一与非门NAND的输出端;第二PMOS晶体管T2的源端接第一定值电压V1;第一NMOS晶体管T3的源极连接第一运算放大器OP1的反向输入端;
所述第一与非门NAND的输入端分别接模拟食物信号输入端Vfood和模拟铃声信号输入端Vring;
所述第一压控开关S1的两个输入端分别接第二定值电压V2和地;当控制信号为高电平时,压控开关的输出接第二定值电压V2,当控制信号为低电平时,压控开关的输出接地,
所述第一电阻R1的一端接模拟食物信号输入端Vfood,另一端接第一运算放大器OP1的反向输入端;第二电阻R2的一端接第一运算放大器OP1的反向输入端,另一端接第一运算放大器OP1的输出端;第三电阻R3的另一端接地;
所述第一运算放大器OP1的正向输入端接地,输出端接第一比较器COMP1的反向输入端;第一比较器COMP1的正向输入端接第一比较电压Vth,输出端为模拟流涎与未流涎的输出电压Vout;
通过将输入端的模拟食物信号Vfood和模拟铃声信号Vring输入到第一与非门NAND,用第一与非门NAND的输出电压Va来控制第一PMOS晶体管T1、第二PMOS晶体管T2和第一NMOS晶体管T3的开/关状态,从而控制第一忆阻器M1和第二忆阻器M2忆阻值的改变,使得整个电路的输出也随之发生变化,从而模拟生物的流涎与未流涎的反应。
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