[发明专利]栅极的制作方法

权利要求书

1.一种栅极的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上依次形成栅氧层和多晶硅层；

进行多晶硅层的刻蚀形成栅极；

进行第一次各向同性刻蚀去除栅极侧壁的原生氧化物；

进行第二次各向同性刻蚀去除栅极侧壁的条纹形貌。

2.根据权利要求1所述的栅极的制作方法，其特征在于，多晶硅层的刻蚀形成栅极的过程包括：

在所述多晶硅层上形成图案化的底部抗反射层和光刻胶层；

以图案化的底部抗反射层和光刻胶层为掩膜，对所述多晶硅层进行刻蚀。

3.根据权利要求2所述的栅极的制作方法，其特征在于，对所述多晶硅层进行的刻蚀包括：预刻蚀、主刻蚀、着陆刻蚀及过刻蚀。

4.根据权利要求3所述的栅极的制作方法，其特征在于，所述第一次各向同性刻蚀采用的刻蚀气体包括氟基气体。

5.根据权利要求4所述的栅极的制作方法，其特征在于，所述氟基气体包括CF₄、CH₂F₂、CHF₃中的一种或至少两种的组合。

6.根据权利要求4所述的栅极的制作方法，其特征在于，所述第一次各向同性刻蚀中偏置功率为50W～100W。

7.根据权利要求6所述的栅极的制作方法，其特征在于，所述第二次各向同性刻蚀采用的刻蚀气体包括氯基气体。

8.根据权利要求7所述的栅极的制作方法，其特征在于，所述氯基气体包括Cl₂、CH₂Cl₂、CH₃Cl中的一种或至少两种的组合。

9.根据权利要求7所述的栅极的制作方法，其特征在于，所述第二次各向同性刻蚀中偏置功率为120W～200W。

10.根据权利要求2所述的栅极的制作方法，其特征在于，所述栅氧层的厚度为所述多晶硅层的厚度为所述底部抗反射层的厚度为