[发明专利]存储器件及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括存储单元区域和外围电路区域，在所述存储单元区域上形成有存储单元阵列；

在所述衬底上沉积栅极多晶硅层；

刻蚀去除存储单元区域的栅极多晶硅层；

刻蚀所述外围电路区域的栅极多晶硅层形成外围电路栅极，所述外围电路栅极所在区域的边界与所述存储单元区域的边界重合。

2.根据权利要求1所述的存储器件的制作方法，其特征在于，形成外围电路栅极，包括：

在所述衬底上依次形成图案化的底部抗反射层和光刻胶层；

并以图案化的底部抗反射层和光刻胶层为掩膜刻蚀外围电路区域的栅极多晶硅层，形成外围电路栅极。

3.根据权利要求2所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述底部抗反射的厚度为所述光刻胶层的厚度为

4.根据权利要求3所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述底部抗反射和所述光刻胶层的总厚度为

5.根据权利要求4所述的存储器件的制作方法，其特征在于，还包括根据底部抗反射层和光刻胶层的类型和厚度，优化栅极多晶硅刻蚀工艺的参数。

6.根据权利要求2所述的存储器件的制作方法，其特征在于，采用光刻工艺在所述外围电路区域中逻辑器件的栅极对应的区域依次覆盖图案化的底部抗反射层和光刻胶层。

7.根据权利要求1所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述栅极多晶硅层与所述衬底之间还形成有栅极氧化层。

8.根据权利要求1所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述存储单元区域中存储单元阵列周围的STI的宽度为1um～1.2um。

9.根据权利要求1所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述存储单元阵列包括字线、位于所述字线的两侧由下至上依次形成的浮栅、栅间介质层和控制栅。

10.根据权利要求1所述的存储器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法用于包括但不限于90nm NORD flash工艺。

11.一种存储器件，其特征在于，采用由权利要求1-10任意一项所述的存储器件的制作方法制作。